SiC上垂直站立石墨烯的制备及物性研究的任务书.docx

SiC上垂直站立石墨烯的制备及物性研究的任务书
任务描述：
一、背景
随着电子工业技术的飞速发展，为了提高芯片功率密度和尺寸，需要有更好的散热器材料，用于提高芯片的散热效果。石墨烯具有极高的热导率和电导率，非常适合作为散热器材料，但它本身不能作为立式材料使用。而SiC在电子工业中已经得到广泛应用，在高温、高电阻、高耐腐蚀等方面具有重要优点。因此，将两种材料结合起来，制备出SiC上垂直站立石墨烯的复合材料，将是一个非常有意义的研究。
二、任务
本项目旨在研究SiC上垂直站立石墨烯的制备与物性，主要包括以下方面：
1、合成技术的研究：研究制备SiC上的石墨烯的最佳方法，包括选择适宜的前驱体、生长条件与生长机理等方面；
2、材料检测与表征：对所得到的SiC上垂直站立石墨烯样品进行表征，包括XRD、TEM、SEM、Raman等多种表征技术，了解样品的晶体结构、形貌、尺寸、晶格定向等信息；
3、物性研究：研究样品在高温、高压、高频等环境下的物性，主要包括电导率、热导率、力学性质等方面，了解SiC上垂直站立石墨烯的优良物性与材料适应性；
三、任务时间
本项目的时间为12个月，具体安排如下：
1、1-2月：熟悉所需实验技术、熟悉文献、梳理文献，制定详细实验计划；
2、3-8月：进行复合材料的制备工作，包括前驱体的选择、反应温度、气氛等参数的优化；
3、9-10月：对所得到的SiC上垂直站立石墨烯样品进行表征，包括XRD、TEM、SEM、Raman等多种表征技术，了解样品的晶体结构、形貌、尺寸、晶格定向等信息；
4、11-12月：研究样品的物性，包括电导率、热导率、力学性质等方面，了解SiC上垂直站立石墨烯的优良物性与材料适应性；
四、预期成果
本项目的主要预期成果包括：
1、制备出具有优良物性的SiC上垂直站立石墨烯复合材料；
2、通过多种表征技术，获得样品的晶体结构、形貌、尺寸、晶格定向等信息；
3、研究样品的物性，确定SiC上垂直站立石墨烯的适宜使用范围、适宜使用条件；
4、撰写研究成果论文，发表在知名学术期刊上，以推动该领域的发展。