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氧化石墨烯基膜的制备及性能研究的开题报告
一、研究背景
自上世纪50年代以来，石墨烯就被视为是一种理想的材料，因其低维特性和卓越的物理化学性质而备受关注。随着对石墨烯的研究深入，人们发现将石墨烯氧化后制备成氧化石墨烯（OxidizedGraphene，OG）也变得越来越重要。氧化石墨烯具有很多优异的性质和广泛的应用前景，例如用于超级电容器、电解电容器、锂离子电池、生物医学和传感器等领域。其中，石墨烯基膜是氧化石墨烯在应用中的一个重要方面。石墨烯基膜具有高度平整性、大面积、可控性和易于制备等特点，因此在能量存储和传感器等领域有着重要的应用。
二、研究内容
本文旨在研究制备氧化石墨烯基膜的方法以及探究其性能。具体研究内容如下：
1.氧化石墨烯的制备
氧化石墨烯的制备方法较多，本文将采用Hummers法对石墨烯进行氧化，得到氧化石墨烯OxidizedGraphene(OG)。Hummers法是一种常用的石墨烯氧化方法，具有反应产物纯度高、反应过程简单等优势。
2.氧化石墨烯基膜的制备
由于氧化石墨烯在溶液中的稳定性较差，很难在高温处理过程中获得平整的石墨烯基膜。因此，本文将采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD），利用自组装单分子层技术制备石墨烯基膜。
3.石墨烯基膜的性能表征
采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）等手段对制备的石墨烯基膜进行结构表征，同时对其电学特性进行测试，包括外电场响应能力和电导率等。
三、研究意义
氧化石墨烯和石墨烯基膜是目前材料研究领域中热点的研究方向之一，其具有广泛的应用前景。例如，石墨烯基膜可以被用于低噪声电流检测器、纳米传感器、智能涂料等领域，是近年来石墨烯领域中受到重视的材料之一。本文旨在探究氧化石墨烯基膜的制备方法及其性能，为石墨烯材料在高灵敏度传感器、纳米电子器件、高校电极等领域的应用提供有益的参考。