RCLED的结构优化与MOCVD外延生长的任务书.docx
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RCLED的结构优化与MOCVD外延生长的任务书任务书项目名称:RCLED的结构优化与MOCVD外延生长任务目标:本项目旨在研究并优化红外激光发光二极管(RCLED)的结构,进一步提高其发光效率。同时,我们将探究MOCVD外延生长对RCLED发光性能的影响,提高其制备效率和应用范围,为RCLED的商业化应用奠定技术基础。任务步骤:1.RCLED的结构优化RCLED的结构与材料的选择对发光效率有着重要的影响。研究中,我们将针对外延结构、量子阱和腔的设计进行优化。优化的重点在于提高光输出功率、调制带宽、调制深
AlGaNGaN异质结构的MOCVD同质外延生长研究的任务书.docx
AlGaNGaN异质结构的MOCVD同质外延生长研究的任务书任务书一、任务背景AlGaNGaN异质结构是一种具有重要应用价值的新型材料,具有诸多优异的性能,如高电子迁移率、高稳定性和宽带隙等。因此,其在光电子学、光电子器件、功率电子等领域具有广泛的应用前景。传统的n型GaN材料存在电子陷阱、电阻率大等问题,而AlGaN材料的加入可以有效改善这些问题。因此,对AlGaNGaN异质结构的生长方法和技术进行研究具有重要的意义。现代化的半导体材料生长方法是金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,可以精准控制生长过
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高效率红光RCLED结构设计及MOCVD外延制备的开题报告摘要:随着近年来照明、显示及通讯技术的飞速发展,红色发光器件在这些领域中的应用越来越广泛,其发展的需求与挑战也日益增强。本文提出了一种高效率红光RCLED结构设计,通过MOCVD外延制备技术将其实现。通过对该方案详细的研究及实验检测,达到了较为优异的红光LED器件性能表现。本文还就该方案的制备过程及优化思路进行了阐述,对以后相关研究提供了可能的参考以及借鉴。关键词:红光RCLED;MOCVD;高效率;结构设计;外延制备一、研究背景及意义随着人们对照
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MOCVD外延生长技术简介.docx
MOCVD外延生长技术简介摘要:MOCVD外延技术是国内目前刚起步的技术,本文主要介绍外延的基本原理以及目前世界上主要外延生产系统的设计原理及基本构造。外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有红宝石和SiC两种)上,气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。MOCVD金属有机物化学气相淀积(Metal-OrganicChemicalVaporDeposition,简称MOCVD),1968年由美国洛