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GaNLED外延片微结构分析及性能研究的任务书 任务书 1.任务目的 本任务旨在对GaNLED外延片微结构进行分析和性能研究,探究其光电转换效率及其它性能指标,并针对研究结果提出相关改进措施。 2.任务内容 (1)GaNLED外延片的制备及分析方法的选用。本任务将采用分子束外延法或金属有机化学气相沉积法等技术,制备GaNLED外延片,并采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)等分析方法,对制备的外延片进行表征和分析。 (2)GaNLED外延片的微结构分析。通过SEM和TEM等技术,对GaNLED外延片的微结构进行分析,包括晶体结构、晶体质量、界面质量等方面的分析。 (3)GaNLED外延片的光电转换效率测量。采用光学测试系统对GaNLED外延片进行光电转换效率测试,得出其发射功率、辐射效率等相关性能指标。 (4)性能研究及优化措施。根据实验结果,分析GaNLED外延片的性能表现,针对其性能指标进行优化措施的提出。 3.任务计划 (1)制备GaNLED外延片,并进行传统性能测试和微结构表征,总共约3个月。 (2)采用光学测试系统对GaNLED外延片进行光电转换效率测量,总共约2个月。 (3)性能研究及优化措施的提出,总共约1个月。 (4)撰写项目报告,总共约1个月。 4.任务团队及分工 (1)实验人员:负责GaNLED外延片的制备、分析和测试工作。 (2)学术研究人员:负责GaNLED外延片性能研究及优化措施制定和实验结果的总结分析。 (3)项目负责人:负责项目进度控制和撰写项目报告等工作。 5.任务预算 (1)实验设备费用:30万元。 (2)实验材料费用:50万元。 (3)人员工资及相关费用:100万元。 6.任务进度 任务开始日期:2022年8月1日。 任务结束日期:2023年3月31日。 7.任务成果 (1)一份详细的任务报告,包括实验过程、实验结果及性能优化措施,并附有详细的数据和图表分析。 (2)相关学术论文若干,并向相关学术期刊投稿。 (3)相关技术成果申请专利及商业化运用。