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会计学授课(shòukè)内容上一讲上一讲掌握器件(qìjiàn)物理知识的必要性本讲本讲的目的(mùdì)MOS管简化(jiǎnhuà)模型MOS管的结构(jiégòu)MOS管的结构(jiégòu)MOS管的符号(fúhào)本讲沟道电荷(diànhè)的产生阈值电压I/V特性-沟道(ɡōudào)随VDS的变化I/V特性(tèxìng)—推导I(VDS,VGS)I/V特性(tèxìng)—推导I(VDS,VGS)I/V特性(tèxìng)—线性区I/V特性(tèxìng)—当VDS<<2(VGS-VTH)时?I/V特性(tèxìng)—当VDS>VGS-VTH时?I/V特性(tèxìng)—当VDS>VGS-VTH时I/V特性(tèxìng)—当VDS>VGS-VTH时I/V特性(tèxìng)—当VDS>VGS-VTH时I/V特性(tèxìng)—PMOS管跨导gm跨导gmMOS管工作(gōngzuò)在哪个区?本讲二级效应(xiàoyìng)阈值电压和体效应(xiàoyìng)阈值电压和体效应(xiàoyìng)体效应对电路性能(xìngnéng)影响利用(lìyòng)体效应工作的电路实例沟道长度(chángdù)调制效应沟长调制(tiáozhì)效应亚阈值(yùzhí)导电性亚阈值(yùzhí)导电性[Gray]用亚阈值(yùzhí)特性确定阈值(yùzhí)电压用亚阈值(yùzhí)特性确定阈值(yùzhí)电压亚阈值(yùzhí)区时的跨导电压(diànyā)限制本讲MOS器件(qìjiàn)版图MOS器件(qìjiàn)版图MOS管中的电容(diànróng)MOS管中的电容(diànróng)MOS管中的电容(diànróng)-低电容(diànróng)版图MOS管中的电容(diànróng)-不同工作区MOS管中的电容(diànróng)-不同工作区MOS大信号(xìnhào)和小信号(xìnhào)模型MOS饱和区时的小信号(xìnhào)模型MOS饱和区时的小信号(xìnhào)模型MOS管的完整小信号(xìnhào)模型MOS小信号模型(móxíng)中的电阻MOSSPICE模型(móxíng)NMOS管与PMOS管长沟道(ɡōudào)器件和短沟道(ɡōudào)器件MOS管用作电容器时总结(zǒngjié)作业(zuòyè)下一讲