多层膜巨磁电阻效应及其磁致热阻效应的任务书.docx
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多层膜巨磁电阻效应及其磁致热阻效应引言巨磁电阻效应(GMR)是指在一定外场磁场下,材料电阻随着磁场方向变化而变化的现象。1990年代,发现具有Fe/Cr多层膜结构的材料在外加磁场下具有高度敏感的GMR效应,引起了科学家们的浓厚兴趣。本文将探讨多层膜巨磁电阻效应及其磁致热阻效应研究的现状和进展。多层膜巨磁电阻效应GMR材料中多层膜结构是其中的一种。例如,NiFe/Cu多层膜由NiFe和Cu交替沉积而成。在外加磁场下,晶格结构具有二维相邻层自旋偏得性耦合,使得电子的自旋极化和电阻率之间产生线性关系。在磁场方向
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多层膜巨磁电阻效应及其磁致热阻效应的任务书一、任务背景随着科技的进步,人们对于材料的性能和特性的需求越来越高。在磁性材料领域,巨磁电阻(GMR)效应作为一种重要的量子电子学现象,已经受到了广泛关注。GMR是指在外磁场作用下,导电多层膜中电子自旋定向与磁化方向偏转,从而改变电阻率的现象。多层膜巨磁电阻效应是一种重要的磁性材料,在应用中有着广泛的应用,如磁场传感器、磁存储、磁力计、磁谷电子等诸多领域。在这些领域中,多层膜巨磁电阻标称磁透气率很低,又能实现高灵敏度和低噪声,此外,多层膜中的磁致热效应(MAE)与
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【先进材料基础-磁致伸缩效应】什么是磁致伸缩效应《先进材料基础》结课论文磁致伸缩效应专业班级姓名学号授课教师引言磁致伸缩效应是指材料在外加磁场条件下的变形。磁致伸缩效应于19世纪(1842年)被英国物理学家詹姆斯.焦耳发现。他观察到,一类铁磁类材料,如:铁,在磁场中会改变长度。焦耳事实上观察到的是具有负向磁致伸缩效应的材料,但从那时起,具有正向磁致伸缩效应的材料也被发现了。磁致伸缩效应的原理小磁畴的旋转被认为是磁致伸缩效应改变长度的原因。磁畴旋转以及重新定位导致了材料结构的内部应变。结构内的应变导致了材料
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磁性多层膜的垂直各向异性及巨磁电阻效应研究任务书一、研究背景随着现代信息技术的不断发展,数据存储与传输的需求不断增长,因此新型的存储材料和设备得到了广泛的关注。磁性多层膜作为一种典型的磁体材料,具有优异的磁学性能和多种物理效应,如垂直各向异性、磁阻效应、磁振旋效应、磁化反转等。其中垂直各向异性和磁阻效应是磁性多层膜中最为重要的两种效应,它们是实现高密度数据存储和高灵敏传感器的关键技术。因此,本研究旨在深入探究磁性多层膜的垂直各向异性及巨磁电阻效应,以期为新型存储材料的设计和制备提供理论指导。二、研究内容1
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锰氧化物及其异质结的电致磁致电阻效应研究的任务书【任务书】一、任务背景随着电子技术的发展,人们对新型电子器件的需求不断增加,特别是在磁性材料研究领域,电致磁致电阻效应成为了研究热点。锰氧化物及其异质结由于其在电子、磁学和输运学等方面的特殊性质,受到了广泛的研究关注。锰氧化物及其异质结具有良好的磁性、电性、响应速度快、数字化高、存储容量大等特点,可广泛应用于新型磁电存储器,磁场传感器和医用磁共振成像等领域。二、任务目标本项目的目标是研究锰氧化物及其异质结的电致磁致电阻效应,探究材料的磁阻抗、磁电阻、电导的变