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EAST杂质注入实验中的辐射行为研究的开题报告
一、选题背景
在实际的半导体工艺生产过程中，由于杂质在半导体晶片表面及其层内存在，因此杂质注入技术在CMOS工艺中广泛应用，它是工厂工艺的重要组成部分之一。同时为了提高半导体芯片的集成度，使其性能更加优越，对杂质注入技术的精度和良好性有很高的要求。ExposuretoionizingradiationisthemainsourceofdegradationofMOSstructuresandperformanceofsemiconductordevices.
二、研究目的
为了阐述在杂质注入技术中，辐射对半导体器件的影响及其行为，本文选定了EAST(ExperimentalAdvancedSuperconductingTokamak)设备进行实验研究，以期探究辐射对杂质注入后半导体器件电性能力的影响，以及了解航天半导体器件的抗辐照性能。
三、研究方法
（1）实验设备的介绍
EAST是全球首个以超导技术为基础的核聚变实验装置，它可以创造出高温和高密度的等离子体条件。同时，它能够模拟出太阳和其它天体内部的物理过程和性质，为研究聚变等宇宙物理问题提供了重要实验基础。
本实验采用EAST截面试验台进行注入技术研究。在该试验台中，采用负离子束注入技术对半导体样品进行注入，并配合使用上述装置进行辐照研究。
（2）实验步骤及设计
首先，按一定的比例选定硅片样品，进行杂质的注入处理，这部分工作主要由自主研制的扫描电子显微镜(SEM)枪进行加工。根据设计要求，选取合适的注入参数，包括束流的能量、注入的角度以及杂质的类型。
接下来，利用常见的中性微聚光离子探针(NR)进行样品特性测试，检测其电性能力，记录各项参数数据。
最后，在实验装置中进行辐照，研究辐照对样品电性能力的影响。观察样品的电流、电压、阈值电压等参数，判断其电性能力的改变和响应。
四、研究结论及意义
本研究旨在探究杂质注入技术中，辐射对航天半导体器件电性能力的影响，以及调控半导体器件阻散区结构参数在高能物质流束辐照下的行为机理，对深入理解氢等聚变材料的演变过程和性质具有重要意义。通过对研究结果的总结分析，可以为航天半导体的设计、制造以及使用提供更为科学的理论支持，推进我国的聚变科技研究与发展，促进了我国航空、军事、能源等领域的发展。