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偏压对磁控溅射制备AlMgB薄膜的影响的任务书 任务书 课题名称:偏压对磁控溅射制备AlMgB薄膜的影响 研究背景和意义: 磁控溅射技术是制备薄膜材料的一种重要表面处理技术,因其制备的薄膜质量稳定,厚度均匀,薄膜结构或成分可调控,适用于多种材料的制备,被广泛应用于电子、光电子、化学、材料等领域。而在现有的研究中,磁控溅射技术制备的AlMgB薄膜在磁性、光学和电学等性质方面表现出极高的潜力,被广泛用于LED、光电探测器、太阳能电池、薄膜电阻器等各种领域。因此,对薄膜制备技术以及薄膜性质的研究具有重大意义。 偏压是指磁控溅射过程中工作气压低于标准气压,在这种条件下,电子的平均自由程变短,以致在介质中运动时大量碰撞气体分子,因而在气体介质中有大量能量交换,当极性电压变化时,电离空间中会形成一个电场,改变粒子的运动轨迹,并有利于粒子到达靶材表面。因此,对偏压的研究可以为优化磁控溅射制备AlMgB薄膜技术提供探索方向。 研究内容和方法: 本课题旨在探讨偏压对磁控溅射制备AlMgB薄膜的影响。研究内容包括以下几个方面: 1.研究不同偏压对AlMgB薄膜厚度、表面形貌和结晶性能的影响。 2.研究不同偏压下AlMgB薄膜对于可见光和紫外光的透过率和反射率的变化规律。 3.研究不同偏压下AlMgB薄膜磁性和电学性能的变化规律。 研究方法主要包括以下几个方面: 1.制备AlMgB薄膜样品。采用磁控溅射技术制备AlMgB薄膜,在不同偏压的条件下制备薄膜样品。 2.测试薄膜厚度、表面形貌和结晶性能。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪等测试薄膜厚度、表面形貌和结晶性能。 3.测试薄膜透过率和反射率。采用光谱测试仪测试不同偏压下AlMgB薄膜对于可见光和紫外光的透过率和反射率的变化规律。 4.测试薄膜磁性和电学性能。采用霍尔效应测试仪、电学测试仪等测试不同偏压下AlMgB薄膜磁性和电学性能的变化规律。 研究预期结果和意义: 通过本次研究,预期能够深入理解偏压对磁控溅射制备AlMgB薄膜的影响,并得到以下几个方面的结论: 1.在合适的偏压下可以制备出质量优良、结晶良好的AlMgB薄膜。 2.随着偏压的增大,AlMgB薄膜的透过率和反射率的变化呈现明显的趋势,可以为薄膜制备和应用提供指导。 3.偏压对AlMgB薄膜的磁性和电学性能有一定影响,可以为应用于磁场探测器、薄膜电阻器等领域提供理论和实验基础。 本次研究可为磁控溅射制备AlMgB薄膜技术的优化和推广提供参考,同时为薄膜在电子、光电子、化学、材料等领域的应用提供理论和实验数据支撑。