非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长与退火研究的任务书.docx

非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长与退火研究的任务书
任务书
任务名称：非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长与退火研究
任务背景：
氮化铝（AlN）是一种重要的广谱半导体材料，具有优异的光电性能和热稳定性，被广泛应用于GaN基LED、功率电子器件、太赫兹器件、高频微波器件等方面。而所研究的非极性和半极性AlN薄膜具有很好的光电性能，可以用于基片的保护和防止衬底漏电。因此，对非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长与退火进行研究有着极为重要的意义。
任务目的：
本次任务旨在探究非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长与退火过程，分析其基本性质，并研究其对AlN表面性质的影响。同时，通过对溅射能量、退火温度等参数的调控，优化AlN薄膜的性能，提高其在半导体器件中的应用。
任务内容：
1.利用溅射技术在基底上生长非极性和半极性AlN薄膜，分别研究生长规律与表面形貌。
2.对生长后的非极性和半极性AlN薄膜进行不同温度的退火处理，分析其对表面性质的影响。
3.分析退火处理前后的非极性和半极性AlN薄膜的物理、化学性质，包括结晶结构、晶格常数、晶体质量、载流子浓度等。
4.通过对溅射能量、退火温度等参数的优化，提高AlN薄膜的性能，提高其在半导体器件中的应用。
任务计划：
第一阶段（1个月）：对非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长工艺进行初步研究，确定气压、气体流量、物质靶材的制备工艺等参数。
第二阶段（2个月）：利用溅射技术在基底上生长非极性和半极性AlN薄膜，并进行表面形貌分析。
第三阶段（2个月）：对生长后的非极性和半极性AlN薄膜进行不同温度的退火处理，分析其对表面性质的影响，并对处理前后的样品进行比较分析。
第四阶段（1个月）：分析退火处理前后的非极性和半极性AlN薄膜的物理、化学性质，包括结晶结构、晶格常数、晶体质量、载流子浓度等。
第五阶段（1个月）：通过对溅射能量、退火温度等参数的优化，提高AlN薄膜的性能，提高其在半导体器件中的应用。
任务成果：
1.非极性和半极性AlN薄膜的溅射生长规律研究报告，包括生长过程跟踪、材料表面形貌的分析结果和评价；
2.非极性和半极性AlN薄膜的退火研究报告，包括退火温度与表面性质的关系及对AlN表面性质的影响；
3.非极性和半极性AlN薄膜的表征报告，包括样品结晶结构、晶格常数、晶体质量、载流子浓度等相关信息；
4.优化后的AlN薄膜的性能测试报告，包括对新型AlN薄膜的性质分析，并评价其在半导体器件中的应用价值。
参考文献：
1.郝彦超,张永红,贺树军.溅射法制备AlN薄膜的研究现状[J].功能材料,2017,48(11):11182-11185.
2.许志勇,崔建明,时尚.退火温度对非极性氮化铝薄膜压电性能的影响[J].南京理工大学学报(自然科学版),2018,42(3):302-307.
3.周科平,周红,王梦想,等.利用退火技术提高氮化铝薄膜品质的研究进展[J].机械工程与自动化,2016,45(6):177-181.
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