辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证(一)的任务书.docx

辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证(一)的任务书
任务书
课题名称：辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证(一)
任务背景：
随着半导体技术的不断发展，现在的电子系统出现越来越多的高性能需求。在高性能需求的同时，电子系统也要考虑到工作环境的特殊条件，例如高辐射环境。在如此特殊的环境下，电子器件面临着不可避免的辐射效应，导致器件的性能下降或损坏。因此，对于电子器件的辐射加固也就成为了一项非常重要的研究课题。
任务内容：
本项目旨在通过应用辐射加固SOI工艺，设计和验证辐射加固FPGA。任务内容包括以下几个方面：
1.了解SOI工艺以及辐射加固的基本知识和原理。
2.根据FPGA的电路结构，设计出符合辐射加固SOI工艺要求的电路结构。
3.根据设计出的电路结构，进行相关的EDA工具仿真和模拟，以验证电路结构的正确性和可行性。
4.进行辐射试验和静态见效应试验，验证设计的FPGA在高辐射环境下的性能表现。
5.根据以上试验结果，优化电路的设计，得到更加稳定和高性能的FPGA，同时生成相应的设计文档和测试报告。
6.在项目结束后，进行项目总结和经验总结，撰写相应的项目报告和学术论文。
任务要求：
1.课题组成员需要对电子器件的基本原理和辐射加固SOI工艺有一定的了解和研究背景。
2.在课题组的指导下，每位成员需完成一定设计任务，包括电路结构的设计、EDA工具仿真和模拟以及试验等内容。
3.课题组成员需认真执行项目计划并按照项目流程有序进行任务的安排和执行，按时完成每个阶段的任务。
4.课题组成员需具备相应的学术素养和团队协作能力，共同完成项目计划。
5.课题组成员需撰写相关的项目报告和学术论文，通过学术论文调研和实验研究总结出项目成果和创新点。
任务时间：
本项目计划历时6个月，具体时间安排如下：
第1个月：了解相关基础知识以及适应项目环境，开展调研工作并完成相关文献的收集和整理。
第2~3个月：进行电路结构设计和EDA工具仿真和模拟，并对模拟结果进行分析和评价。
第4个月：开展辐射试验和静态见效应试验。
第5~6个月：通过试验结果进行电路优化，并完成项目总结和经验总结工作，撰写项目报告和学术论文等。
参考文献：
1.P.Hazucha,J.R.Schwank,“Aradiation-hardenedSRAMusingasilicon-on-insulatorCMOSprocesstechnology,”IEEEJ.Solid-StateCircuits,vol.31,no.8,pp.1224-1233,Aug.1996.
2.Y.Garreau,A.Bosser,“Radiation-inducedsingleeventtransientanalysisindeepsub-micrometersilicon-on-insulatorDMOSFET,”Solid-StateElectronics,vol.48,no.12,pp.2361–2367,Dec.2004.
3.Y.Makita,A.Hirata,S.Nakano,Y.Takigawa,KatsumiIshikawa,H.Ueda,“Radiation-inducedsingleeventeffectsinsilicon-on-insulatordynamicrandom-accessmemory,”IEEETrans.Nucl.Sci.,vol.47,no.6,pp.2361–2367,Dec.2000.