双极型晶体管及其.pptx
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第2章双极型晶体管及其放大电路2–1双极型晶体管的工作原理图2–1晶体管的结构与符号(a)NPN管的示意图;(b)电路符号;(c)平面管结构剖面图2–1–1放大状态下晶体管中载流子的传输过程当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下,管内载流子的运动情况可用图2--2说明。我们按传输顺序分以下几个过程进行描述。扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运形成集电极电流IC。一、发射区向基区注入电子由于e结正偏,因而结两侧多子的扩散占优势,这时发射区电子源源不断地越过e结注入到基区
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第2章§2.1双结型晶体管三极管从构造上来讲分为两类:NPN型三极管和PNP型三极管。图1.26所示为三极管旳构造示意图和符号。图1.26三极管旳构造示意图和符号符号中发射极上旳箭头方向,表达发射结正偏时电流旳流向。三极管制作时,一般它们旳基区做得很薄(几微米到几十微米),且掺杂浓度低;发射区旳杂质浓度则比较高;集电区旳面积则比发射区做得大,这是三极管实现电流放大旳内部条件。三极管能够是由半导体硅材料制成,称为硅三极管;也能够由锗材料制成,称为锗三极管。三极管从应用旳角度讲,种类诸多。根据工作频率分为高频
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双极型晶体管第三节双极型晶体管b三极管特点二、晶体管的电流分配关系和放大作用晶体管电源接法(一)晶体管内部载流子的运动各极的电流分配关系(三)晶体管的放大作用共基极放大电路(四)关于PNP型晶体管三、晶体管的特性曲线晶体管特性曲线(一)共射输入特性输入特性的特点PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性(二)共射输出特性iB≤0;iC≤ICEO四、晶体管的主要参数晶体管的主要参数(一)电流放大系数如图求A点的如图所示求B点2.共射交流电流放大系数β如图所示求B点3.共基直流电流放大系数和共基交流放大系数整
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会计学§2.1晶体管基本结构2.基本类型3.晶体管制造与掺杂分布xje§2.2晶体管直流放大机理(npn)2.载流子输运过程3.电流(载流子)输运关系C.通过基极的电流D.结论IE=InE+IpEIC=InC+ICBOIB=IpE+IVB-ICBOIVB=InE-InCIE=IB+IC2.共射极电流放大系数---β0表示3.其它电流关系A.晶体管具有电流放大能力,须具备三个条件:NE(x)>>NB(x)---使发射效率γ尽可能接近于1;wb<<Lnb---使基区输运系数β*接近于1;发射结正偏,集电结反偏