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稀土钨基次级发射体制备和性能的研究的任务书
一、课题背景
在现代科学技术的发展过程中，基础研究一直是推动各领域发展的重要推动力。次发射体作为一种新型的电子发射材料，各种研究也得到了广泛的关注。稀土元素和钨元素因具有良好的导电性和发射性能，使其成为次级发射体的理想材料之一。
次发射体是指某些材料在电场作用下，从材料表面逸出的电子的总能量大于材料表面的功函数的材料。次级发射材料在微波和微电子学、衬底加热和阴极注射器等领域有着广泛的应用。其中稀土钨基次级发射体因其高发射电流密度、稳定性高等特点而备受研究者重视。但是，稀土钨基次级发射体的制备技术、性能测试方法和应用前景等方面还需要进一步研究探讨。
因此，本课题旨在深入研究稀土钨基次级发射体的制备技术、性能测试方法和应用前景等方面，为材料学科的发展做出突出的贡献。
二、课题研究目的
1.研究稀土钨基次级发射体的制备技术：探讨稀土钨基次级发射体的合成方法、材料组成、材料纯度等因素对材料电子发射性能的影响，建立合适的稀土钨基次级发射体制备技术。
2.研究稀土钨基次级发射体的性能测试方法：建立稀土钨基次级发射体的电子发射性能测定方法，分析材料的功函数、临界电场强度等关键参数，并与其他次级发射材料进行比较分析。
3.探讨稀土钨基次级发射体的应用前景：探讨稀土钨基次级发射体在微波和微电子学领域的应用前景，研究其在阴极注射器、电子学和空天领域等方面的应用。
三、课题研究内容
1.稀土钨基次级发射体的制备技术研究
（1）研究稀土钨基次级发射体的合成方法。采用物理和化学方法对稀土钨基次级发射体进行合成，并选定一种合适的合成方法。
（2）研究稀土钨基次级发射体的材料组成。探讨稀土钨基次级发射体的元素组成对电子发射性能的影响，分析元素组成与稀土钨基次级发射体的电子发射性能之间的关系。
（3）研究稀土钨基次级发射体的纯度。研究稀土钨基次级发射体的制备纯度对材料电子发射性能的影响，并寻找合适的方法提高材料的纯度。
2.稀土钨基次级发射体的性能测试方法研究
（1）建立稀土钨基次级发射体的电子发射性能测定方法。根据已有的电子发射性能测试方法，结合稀土钨基次级发射体的特点，建立一种合适的测试方法。
（2）分析稀土钨基次级发射体的功函数。测定稀土钨基次级发射体的功函数，并与其他次级发射材料进行比较分析。
（3）研究稀土钨基次级发射体的临界电场强度。测定稀土钨基次级发射体的临界电场强度，并与其他次级发射材料进行比较分析。
3.稀土钨基次级发射体的应用前景研究
（1）探讨稀土钨基次级发射体在微波和微电子学领域的应用前景。研究其在微波和微电子学设备中的应用潜力。
（2）研究稀土钨基次级发射体在阴极注射器中的应用。研究其在阴极注射器中的应用性能。
（3）探讨稀土钨基次级发射体在电子学和空天领域的应用。研究其在电子学和空天领域的应用潜力。
四、研究成果预期
1.稀土钨基次级发射体的制备技术和性能测试方法
2.稀土钨基次级发射体的电子发射性能数据及相关分析
3.稀土钨基次级发射体在微波和微电子学领域、阴极注射器、电子学和空天领域的应用前景研究报告。
五、研究计划
第一年：
（1）综述稀土钨基次级发射体的研究现状和进展，确定研究方向和目标，制定详细的年度工作计划。
（2）开展稀土钨基次级发射体的制备方法研究，建立合适的稀土钨基次级发射体制备技术。
（3）开展稀土钨基次级发射体的电子发射性能测定方法研究，测定稀土钨基次级发射体的发射电流密度、注入电流密度等参数，分析材料的功函数、临界电场强度等关键参数。
第二年：
（1）研究稀土钨基次级发射体的材料组成和纯度，寻找合适的方法提高材料的纯度。
（2）分析稀土钨基次级发射体的功函数和临界电场强度，与其他次级发射材料进行比较分析。
（3）探讨稀土钨基次级发射体在微波和微电子学领域、阴极注射器、电子学和空天领域的应用前景。
第三年：
（1）总结和总览本课题的研究成果，编写课题研究的报告。
（2）发表相关学术论文，参加相关学术会议，与相关专家学者交流和合作研究。
（3）形成一套稀土钨基次级发射体制备技术和性能测试方法的规范标准，为该领域的研究提供技术支持。