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硼氧共掺杂金刚石薄膜的微结构和电学性能研究的任务书 任务书 研究背景和意义 金刚石是一种重要的超硬材料,具有良好的热导率、化学稳定性和机械强度等特点,在工业生产中有着广泛的应用。金刚石薄膜具有厚度小、机械强度高、光学透明度好、电化学稳定性强等特点,被广泛应用于制备电极、生物传感器、太阳能电池等领域。但金刚石薄膜的应用受到其导电性能的限制。传统金刚石薄膜成分主要为碳元素,在导电性能上表现一般。因此,需要探究金刚石薄膜的掺杂方法,以提高其导电性能。 硼元素作为一种常见的p型杂质,可以显著提高金刚石的导电性能。同时,氧元素的掺杂也可以改善金刚石薄膜的导电性能。目前,硼氧共掺杂金刚石薄膜是提高金刚石导电性能的一种有效方法。 因此,本研究旨在探究硼氧共掺杂金刚石薄膜的微结构和电学性能,为提高金刚石薄膜的应用性能提供科学依据。 研究内容 本研究的主要内容包括以下方面: 1.制备硼氧共掺杂金刚石薄膜。采用化学气相沉积法制备硼氧共掺杂金刚石薄膜。首先,使用CH4和H2的气体混合物作为碳源气体,NH3气体作为掺杂气体,制备硼掺杂金刚石薄膜。然后,加入掺氧气体对样品进行二次掺杂,制备硼氧共掺杂金刚石薄膜。 2.微结构表征。使用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)和X射线衍射仪(XRD)对硼氧共掺杂金刚石薄膜的微结构进行表征。 3.电学性能测量。使用霍尔效应仪测量硼氧共掺杂金刚石薄膜的载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等电学性能参数;采用场发射扫描电镜(FESEM)对硼氧共掺杂金刚石薄膜的电子输运性质进行表征。 研究目的 1.探究硼氧共掺杂对金刚石薄膜微结构的影响,分析硼氧共掺杂金刚石薄膜形貌和成分变化规律。 2.研究硼氧共掺杂对金刚石薄膜导电性能的影响,探究硼氧共掺杂金刚石薄膜的载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等电学性能参数,并解释硼氧共掺杂对电子输运性质的影响机制。 3.探究硼氧共掺杂金刚石薄膜的应用前景,为其应用于电极、生物传感器和太阳能电池等领域提供科学依据。 研究方法 本研究采用化学气相沉积法制备硼氧共掺杂金刚石薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)和X射线衍射仪(XRD)对硼氧共掺杂金刚石薄膜的微结构进行表征。使用霍尔效应仪测量硼氧共掺杂金刚石薄膜的载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等电学性能参数;采用场发射扫描电镜(FESEM)对硼氧共掺杂金刚石薄膜的电子输运性质进行表征。 研究进度安排 本研究计划分为以下三个阶段: 第一阶段(1-2个月):制备硼氧共掺杂金刚石薄膜,并对其微观结构进行分析和表征。 第二阶段(2-4个月):测量硼氧共掺杂金刚石薄膜的电学性能,分析硼氧共掺杂对金刚石薄膜导电性能的影响。 第三阶段(4-6个月):完成数据分析和文献综述,提交研究成果报告。 研究成果和预期目标 预期的研究成果和目标如下: 1.成功制备硼氧共掺杂金刚石薄膜,并对其微观结构进行分析和表征。 2.研究硼氧共掺杂对金刚石薄膜导电性能的影响,确定硼氧共掺杂金刚石薄膜的载流子浓度、载流子迁移率和电阻率等电学性能参数。 3.解释硼氧共掺杂对电子输运性质的影响机制,探究硼氧共掺杂金刚石薄膜的应用前景。 4.整理研究成果,撰写研究论文并发表在相关国际期刊上。 参考文献 [1]LuJT,LiHF,LuoJW,etal.ElectricalpropertiesofB,N,andBNdopeddiamondfilmspreparedbyhot-filamentchemicalvapordeposition[J].JournalofAppliedPhysics,2005,98(7):073710. [2]BoufendiL,ReimannCT,KleinschmidtP,etal.Structuralandtransportstudiesonboron-dopeddiamondfilmspreparedbyhot-filamentCVD[J].DiamondandRelatedMaterials,2000,9(10):1753-1758. [3]IakoubovskiiK,KohnE,GraeffCFO,etal.EffectoftemperatureontheelectricalpropertiesofB-dopeddiamond[J].JournalofAppliedPhysics,2003,94(7):4318-4326.