碲镉汞红外探测器梯度界面钝化研究的任务书.docx
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CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究.docx
CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究标题:CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究摘要:本文以CdTeZnS双层钝化碲镉汞(CdTeZnS/CdHgTe)作为长波探测器的材料进行研究,通过化学合成和物理性质表征手段,对该材料的制备方法、表征技术、电学性质和光学性质进行了详细研究。实验结果表明,CdTeZnS双层钝化碲镉汞长波探测器在长波范围内具有较高的灵敏度和响应速度,有望在红外成像和红外辐射测量领域具有广泛应用前景。关键词:CdTeZnS双层钝化碲镉汞;长波探测器;制备方法;表征技术
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势垒阻挡型碲镉汞红外探测器研究的任务书任务书一、背景分析随着红外技术的不断发展,探测器是红外技术中最为重要的核心组成部分之一,同时也是应用最广泛的一种红外材料。碲镉汞(TlHgCdTe)是一种具有灵敏度高、响应速度快、可制备大面积、光谱响应范围宽等优点的半导体材料,因此被广泛应用于红外探测器领域。然而,在实际应用中,红外探测器还存在着一些问题,如光响应速度不够快、探测灵敏度不够高、在低温下运行效果不佳等。目前的研究重点主要集中在增加半导体材料的暗电流、提高探测效率和做到制备的一致性等方面。二、研究目标本次
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低串音的碲镉汞红外探测器芯片技术研究的任务书.docx
低串音的碲镉汞红外探测器芯片技术研究的任务书一、研究背景随着红外技术的不断发展,红外探测器在工业、军事、医疗等领域中得到了广泛应用。然而,当前红外探测器面临着一些问题,比如灵敏度不高、响应速度慢、价格昂贵等。这些问题制约了红外探测器的发展与应用。因此,开展低串音的碲镉汞红外探测器芯片技术的研究具有重要意义。二、研究目的本次研究旨在开展低串音的碲镉汞红外探测器芯片技术的研究,通过优化芯片结构、选用合适材料等手段,提高红外探测器的灵敏度、响应速度和抗干扰能力。三、研究内容1.碲镉汞材料的制备和特性研究,掌握材