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硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的电沉积制备及光电性能任务书
任务书
一、研究背景
1.1光电材料的重要性
光电材料是指能够将光学能转化为电学能或反之的材料，主要应用于光电转换、信息存储、光学通讯、显示器等领域。其中，半导体材料作为一种重要的光电材料，具有普遍适用性和较好的光电性能，是当前光电器件的主要材料之一。
1.2硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的研究进展
硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜是一种具有优良光电性能的新型材料。硼酸钇是一种锂离子电池正极材料，具有较高的离子导电性和化学稳定性；氧化钨铕材料具有良好的光催化性能和光电化学性能。将这两种材料掺杂在一起制备薄膜材料，可以实现多种功能的结合，促进其应用于光电器件领域。
近年来，硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的制备方法逐渐多样化，并取得了一定的研究进展。其中，电沉积法是一种简单、易于操作和控制的制备方法，可以得到良好的形貌和光电性能的薄膜。
本研究拟采用电沉积法制备硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜，并研究其光电性能及应用前景。
二、研究目的
2.1研究硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的制备工艺及其光电性能。
利用电沉积法制备硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜，并研究其表面形貌、晶体结构及光电性能。
2.2探讨硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜在光电器件中的应用前景。
通过分析硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的光电性能，探讨其在光电器件中的应用前景。
三、研究内容与方法
3.1硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的制备方法
采用电沉积法，在钨基底上制备硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜。在电解液中加入适量的硼酸钇和氧化钨铕，调节电沉积工艺参数，如电流密度、沉积时间等，控制薄膜的组成、形貌和厚度。
3.2硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的表面形貌和晶体结构分析
采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析手段，研究制备的硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的表面形貌和晶体结构。
3.3光电性能测试
通过紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、光电流测试等手段，研究硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的光电性能，包括光催化性能、光电化学性能等。
3.4应用前景探讨
通过对硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的光电性能、物理化学性质分析，探讨其在光电器件中的应用前景。
四、研究进度安排
3个月内完成硼酸钇和氧化钨铕离子掺杂薄膜的制备及光电性能测试；4个月内对获得的数据进行分析、整理、撰写研究论文；6个月内完成应用前景探讨和研究成果报告的撰写。
五、研究经费预算
本研究经费共计10万元，具体预算如下：
设备购置费：3万元
试剂、材料费：3万元
实验室开支：2万元
出差交通费：1万元
研究人员酬劳：1万元
出版费、印刷费：0.5万元
其他杂项费用：0.5万元
六、参考文献
1.毛云鹏,张新平.硼酸钇材料发展研究现状[J].稀有金属材料与工程,2018,47(07):2091-2095.
2.王丽，等.具有光催化活性的铕掺杂氧化钨纳米材料的合成、表征及光催化性能[J].光化学进展,2017,29(07):1061-1068.
3.ZHANG,You-bin，等.掺氮氧化钨薄膜的制备、表征及光催化性能研究[J].化工新型材料,2019,47(1):24-27.