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本资料来源搜集与网络和投稿如有侵权牵扯利益关系请告知上传人联系删除。山东传媒职业学院济南铁道职业技术学院授课教案附页第二章：半导体三极管*作用：三极管具有放大作用；类型：单极型（晶体三极管）、双极型（场效应管）；内容：三极管及三极管电路的分析。2.1双极型三极管2.1.1晶体三极管的工作原理一、结构与符号1.结构。p29图2.1.1----发射结、集电结（面积大）；发射区（搀杂最重）、基区（搀杂最轻）、集电区。2.符号。p29图2.1.1----npn（硅管）、pnp（锗管）的区别。二、电流放大原理1.原理图：p30图2.1.32.电流放大原理：发射结正偏、集电结反偏*发射区（搀杂最重）---100个自由电子（1）扩散到---基区（搀杂最轻）---1个空穴复合（1）---99个自由电子（1）漂移到---集电区---形成集电极电流（1=99）。*发射区（搀杂最重）---200个自由电子（2）扩散到---基区（搀杂最轻）---2个空穴复合（2）---198个自由电子（2）漂移到---集电区---形成集电极电流（2=198）。说明：基区空穴与发射区扩散过来的电子复合比例是定值不同三极管具有不同定值。*电流放大原理----（2-1）/（2-1）=β（电流放大系数或交流电流放大系数）----基极电流微小变化引起集电极电流较大变化----基极电流控制集电极电流----三极管是一个电流控制元件*1/1==2/2（直流电流放大系数）；（穿透电流）=（1+β）（集电结反向饱和电流）、反映三极管的质量。2.1.2晶体三极管的特性曲线npn型三极管共发射极电路p32图2.1.4一、输入特性曲线。p32图2.1.4----二极管特性曲线----死区电压、导通电压。二、输出特性曲线。p32图2.1.4----放大区（发射结正偏、集电结反偏>1v）、饱和区（发射结、集电结正偏硅管=0.3v、锗管=0.1v）、截止区（发射结、集电结反偏ib=0、ic=）----模拟电路一般工作在放大区数字电路一般工作在饱和区、截止区。三、温度对特性曲线的影响：t升高----输入特性曲线左移、输入特性曲线上移2.1.3晶体三极管的主要参数一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数：β=Δic/Δib---p33例2.1.12.共基极电流放大系数：电路---p33图2.1.6---二、极间反向电流：=（1+β）---受温度影响---越小越好---反映管子质量三、极限参数：p34图2.1.71.集电极最大允许电流icm：β降低或损坏（断路）。任课教师教研室主任年月日济南铁道职业技术学院授课教案附页2.集电极最大允许耗散功率pcm。损坏（断路）。3.反向击穿电压u（br）ceo、u（br）cbo、u（br）ebo：损坏（短路）。任课教师教研室主任年月日