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表面微结构对GaN基LED光提取效率提高的研究的任务书 任务书 题目:表面微结构对GaN基LED光提取效率提高的研究 背景和意义: 目前,固态照明领域已经成为工业界和学术界的研究热点。其中,GaN基LED作为一种高亮度、高效率的照明光源,具有广泛的应用前景。然而,GaN基LED中的光提取效率仍然存在问题,主要原因是照明器件中的多种光学损耗。其中,反射、吸收和折射是典型的光学损耗,它们都会降低管芯内部的光强度。为了提高GaN基LED光提取效率,需要设计合适的表面微结构,以拥有更高的反射率和更低的表面吸收率,同时减少在LED管芯中的折射损失。 任务内容: 1、文献综述 对当前GaN基LED的研究进展进行综述,了解GaN基LED光提取效率低和表面微结构方案优化方面的相关工作。 2、设计和制备表面微结构 设计和制备不同表面微结构的GaN基LED样品。通过介电常数、扩散和反射等参数调整微结构形貌参数,分析切变力对晶体表面产生的影响,评估不同表面形貌参数对LED光学性能性能的影响,选择适合GaN基LED的表面微结构。 3、测试和分析性能 使用光电子能谱、荧光光谱、电镜分析等技术测试和分析表面微结构对GaN基LED光提取的影响。通过测试和分析不同表面微结构样品的反射率、漏光率,计算不同结构样品的光提取效率,评估表面微结构对GaN基LED光提取效率的影响。 4、结果分析和讨论 分析不同表面微结构样品的光提取效率,探讨表面微结构对GaN基LED光提取效率的影响机理。对结果进行分析和讨论,寻找更好的方案,并通过实验验证比较。 预期成果: 1、制备出不同表面微结构的GaN基LED样品,并对其光学性能进行测试和分析; 2、发现一种表面微结构方案,能够提高GaN基LED的光提取效率; 3、提供一种有效的方法和技术,用于制备和优化GaN基LED的表面微结构,提高其光提取效率。 计划进度: 第一阶段(2个月):对文献进行综述,设计和制备不同表面微结构的GaN基LED样品。 第二阶段(2个月):对表面微结构进行测试和分析,评估不同表面形貌参数对LED光学性能性能的影响。 第三阶段(2个月):分析不同表面微结构样品的光提取效率,探讨表面微结构对GaN基LED光提取效率的影响机理,并进行比较和验证。 第四阶段(2个月):整理研究结果和数据,并进行论文撰写及相关成果的推广和应用。 参考文献: 1.KeWang,BaoshunZhang,BeiZhangetal.,“EngineeringtheshapeandstructureofGaN-basedmicro-LEDarraysforenhancedlightextraction,”ScientificReports,2017,7(1):16682. 2.CanCai,MengZhang,LiangLiangetal.,“EffectsofSurfaceMicro-StructuresontheOpticalPerformanceofGaNMicro-Light-EmittingDiodes,”PhysicaStatusSolidi(a),2017,214(7):1600877. 3.J.Ma,H.Zheng,M.Lietal.,“EffectsofsurfacemorphologyandroughnessonthelightoutputpowerofGaN-basedlight-emittingdiodes,”Jpn.J.Appl.Phys.,2016,55:08NB11. 4.G.Liu,H.Zhong,andX.Jin,“TheeffectsofdifferentsurfacetexturingontheenhancementoflightextractionefficiencyofGaN-basedlight-emittingdiodes,”Opticsexpress,2015,23(19):25189-25197. 5.J.Lee,Y.Heo,D.Leeetal.,“ReductionofthreadingdislocationdensityofGaNonSapphirebyperiodicfastatombeamsources,”JCrystGrowth,2006,287:26-29.