ZnO一维纳米结构的电流输运特性和微区势垒结构研究的任务书.docx

ZnO一维纳米结构的电流输运特性和微区势垒结构研究的任务书
任务书
一、课题名称
ZnO一维纳米结构的电流输运特性和微区势垒结构研究。
二、课题背景
随着微纳电子技术的飞速发展，一维纳米结构走向成熟已经成为必然趋势。其优异的电学、光学等性质对于新型器件的研发具有十分重要的意义。而ZnO的一维纳米结构因其在表面态的局限性、化学稳定性强，光电性能优异等特点，被视作具有广泛应用前景的材料。本项目选取了ZnO一维纳米结构作为研究对象，旨在探究其电流输运特性和微区势垒结构特征，为其在信息领域的应用提供理论基础和实验依据。
三、研究内容
1.合成ZnO一维纳米结构，通过TEM等手段观察其形貌和尺寸。
2.制备ZnO一维纳米结构的器件，并测试其电流-电压(I-V)特性。
3.探究微区势垒结构的形态、大小及对器件电学性能的影响。
四、研究方法
1.化学合成法：采用气相沉积或水热法制备ZnO一维纳米结构，并利用TEM等手段观察其形貌和尺寸。
2.微纳加工技术：采用光刻、蒸发等微纳加工技术，制备ZnO一维纳米结构的器件。
3.能带结构模拟：通过理论计算探究微区势垒结构对器件电学性能的影响。
4.测量系统：采用高精度电学测试系统，测试器件的电流-电压(I-V)特性。
五、研究目标
1.实现ZnO一维纳米结构的制备和器件的制作；
2.通过电流-电压(I-V)特性研究器件的电学性能；
3.探究微区势垒结构的形态、大小及对器件电学性能的影响。
六、研究意义
1.为研究ZnO一维纳米结构的电学性能提供基础知识和实验依据；
2.探究微区势垒结构对器件电学性能的影响，为新型器件的设计和制备提供理论指导；
3.结果可在信息领域的应用中得到推广，对于信息传输和存储技术的发展有重要意义。
七、研究计划
1.第一年
制备ZnO一维纳米结构，通过TEM等手段观察其形貌和尺寸。利用光刻、蒸发等微纳加工技术制作器件，测试其电学性质。
2.第二年
结合理论计算和实验测试，研究微区势垒结构的形态、大小及对器件电学性能的影响。
3.第三年
进一步探究微区势垒结构对器件电学性能的影响，并在信息领域的应用中得到推广。
八、预期成果
1.成功制备ZnO一维纳米结构，并获得其形貌和尺寸的信息；
2.利用高精度电学测试系统，获得器件的电流-电压特性曲线，并分析其电学性能特点；
3.探究微区势垒结构对器件电学性能的影响，为新型器件的设计和制备提供一定的理论指导。