基于碳化硅功率器件及软开关技术的高性能逆变器关键技术研究的任务书.docx
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高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析摘要:随着电力电子技术的飞速发展,高功率密度的硅基MOSFET正成为电力电子应用领域的主流。碳化硅MOSFET是一种新型的高功率密度半导体器件,具有较低的导通电阻和开关速度,更好的热工稳定性和抗辐射性能,适用于高频大功率应用场合。本文以高功率密度碳化硅MOSFET三相逆变器为研究对象,对其进行了损耗分析,探讨了软开关技术在碳化硅MOSFET逆变器中的应用。关键词:碳化硅MOSFET;软开关;逆变器;损耗分析引言:三相逆变器是电力电子中常见的一种频率变换电