MOS型空间辐射总剂量效应探测器的研究的任务书.docx
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超深亚微米MOS器件的总剂量效应及可靠性问题研究的任务书.docx
超深亚微米MOS器件的总剂量效应及可靠性问题研究的任务书一、研究背景及意义随着微电子技术不断发展,晶体管的尺寸不断缩小,并且市场对功耗、速度和可靠性等性能的要求也在不断提高。由于MOS器件是现代集成电路的基础元件,在微电子产业中具有重要的地位。近年来,在工艺技术的不断发展和提高下,制备出了深亚微米MOS器件,其主要特点是器件通道长度很短,大大提高了器件电流密度和性能,但同时也面临着严峻的总剂量效应和可靠性问题。总剂量效应即当MOS器件长时间处于辐射环境中时,电离辐射产生的电子,会在器件绝缘层中和通道中积累