IGBT失效分析技术综述报告-豆柴文库

IGBT失效分析技术综述报告.pptx

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IGBT失效分析技术综述目录单击添加章节标题IGBT失效分析技术概述IGBT失效定义及分类失效分析的重要性和目的失效分析流程和方法IGBT失效模式和原因常见的失效模式失效原因分析制造和设计缺陷分析IGBT失效分析技术和方法宏观检测技术微观检测技术化学分析技术综合分析方法IGBT失效案例分析案例一：某电机驱动器中的IGBT失效分析案例二：某光伏逆变器中的IGBT失效分析案例三：某风电变流器中的IGBT失效分析案例四：某电动汽车驱动系统中的IGBT失效分析IGBT失效预防和可靠性提升措施提升IGBT设计和制造

2024-10-09

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IGBT失效分析技术任务书任务书：IGBT失效分析技术任务背景：IGBT，即InsulatedGateBipolarTransistor，是半导体行业的一个重要组成部分，常用于电力电子设备中。在长期运行中，一些IGBT可能会出现失效的情况，如温度过高、电流过载、电压过高等情况可能导致IGBT失效。因此，了解IGBT失效的原因和分析技术显得尤为重要。任务内容：本任务的主要内容是通过调查、收集资料和研究，总结出IGBT失效的原因以及常用的失效分析技术，并能提供相应的有效解决方案。具体内容如下：1.IGBT失效

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IGBT及其子器件的几种失效模式摘要：本文通过案例和实验，概述了四种IGBT及其子器件的失效模式：MOS栅击穿、IGBT-MOS阈值电压漂移、IGBT有限次连续短路脉冲冲击的积累损伤和静电保护用高压npn管的硅熔融。关键词：栅击穿阈值电压漂移积累损伤硅熔融1、引言IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和双极的特有失效模式，还有混合型特有的失效模式。MOS是静电极敏感器件，因此，IGBT也是静电极敏感型器件，其子器件还应包

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IGBT失效原因分析引起IGBT失效的原因有：1）过热损坏集电极电流过大引起的瞬时过热及其它原因，如散热不良导致的持续过热均会使IGBT损坏。如果器件持续短路，大电流产生的功耗将引起温升，由于芯片的热容量小，其温度迅速上升，若芯片温度超过硅本征温度(约250℃)，器件将失去阻断能力，栅极控制就无法保护，从而导致IGBT失效[1]。实际运行时，一般最高允许的工作温度为130℃左右。2)超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。IGBT为PNPN4层结构，其等效电路如图1所示。

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