基于栅极电压波形分析的IGBT集成驱动保护技术研究的开题报告.docx
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基于栅极电压波形分析的IGBT集成驱动保护技术研究的开题报告一、选题背景随着电力电子设备在实际应用中的大规模使用,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)晶体管已成为新一代高压、高功率半导体开关器件中的佼佼者,广泛应用于交流调速、电力变化、直流输电、电动汽车等领域中。但是,由于其工作原理的特殊性与大功率工作的高可靠性要求,一方面需要强大的驱动电路来控制其开关状态,另一方面也需要实施有效的保护技术来防止由于过电压、过电流等因素引起的设备损坏。在IGBT驱动中,集成驱动电路由于
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IGBT栅极驱动芯片及过流保护技术研究的中期报告1.研究背景及意义随着现代电力电子技术的不断发展和应用,晶体管逆变器逐渐被广泛应用于各种电力和电子系统中,从轻载到重载、甚至是直流、交流、各种频率和功率水平。在电力电子系统中,晶体管逆变器是实现高效能、高功率密度、高可靠性和低成本的关键组件。其中,直流电压源和弱引脚的驱动问题一直是制约晶体管逆变器应用的重要因素。针对这一问题,研究人员提出了利用IGBT电流源结构和快速开关驱动技术的方案。在IGBT逆变器驱动技术中,栅极驱动芯片的设计和过流保护技术的应用是实现
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IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件1.驱动电路的基本性能IGBT器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的静态驱动功率接近于零。但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs,因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。小功率IGBT的CGs一般在10~l00pF之内,对于大功率的绝缘栅功率器件,由于栅极电容CGs较大,在1~l00pF,甚至更大,因而需要较大的动态驱动功率。IGBT栅极电压可由不同的驱动电路产生,栅极驱动电路设计的优劣直接关系到由IGBT构成的系统长