AlGaN基深紫外发光材料及器件研究的任务书.docx

AlGaN基深紫外发光材料及器件研究的任务书
任务书
一、研究背景
随着信息技术的不断发展，对深紫外发光材料和器件的需求越发迫切。AlGaN材料由于其广泛的带隙调节能力和高电子迁移率而成为最佳选择，具有优异的性能。由此开展AlGaN基深紫外发光材料及器件的研究具有重要的应用价值。
二、研究目标
本研究的目标是制备高质量AlGaN基深紫外发光材料及器件，并研究其光学电学性能及机理。
三、研究内容
1.制备方法优化
通过分析AlGaN材料的制备工艺及物理化学性质，对制备方法进行优化，提高材料质量。
2.材料表征与性能研究
利用激光光电子能谱(LA-ICP-MS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对材料进行表征，分析材料的结构、形貌和成分；利用紫外-可见吸收光谱、激发发光和光电流测试等技术，研究材料的光学和电学性能。
3.器件制备与性能测试
利用激光器蒸发技术或分子束外延技术制备深紫外发光器件，通过测试器件的光谱、光功率、量子效率等性能指标，研究器件的光电性能和制备工艺，进一步探讨其物理机理。
四、研究方法
本研究将采用制备材料、表征、性能测试等方法，探究AlGaN基深紫外发光材料及器件的制备与性能，具体如下：
1.利用激光器蒸发技术和分子束外延技术制备AlGaN基深紫外发光材料和器件。
2.利用激光光电子能谱(LA-ICP-MS)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对材料进行表征和分析，了解材料的结构、形貌和成分。
3.利用紫外-可见吸收光谱、激发发光和光电流测试等技术，研究材料的光学和电学性能。
4.制备深紫外发光器件，并测试器件光谱、光功率、量子效率等性能指标，分析器件的光电性能和制备工艺，进一步探讨其物理机理。
五、研究成果要求
1.制备高质量AlGaN基深紫外发光材料及器件。
2.对制备工艺进行优化，并提出适合工业化生产的方法。
3.通过表征手段对所制备材料的结构、形貌和成分进行分析，了解材料的性质。
4.通过光电性能测试和机理探究，得出深紫外发光器件的性能特征和制备工艺方法，为深紫外光电器件的发展提供研究基础。
六、研究时间安排
本研究时间为两年。
第一年：完成AlGaN材料制备优化，完成材料表征和性能研究；
第二年：完成AlGaN基深紫外发光器件制备，完成器件性能测试；撰写研究报告。
七、参考文献
1.ChenP,LiX,JuJ,etal.AlGaN-baseddeepultravioletlight-emittingdiodes[J].MaterialsScienceandEngineering:R:Reports,2021,146:100594.
2.ZhangJ,HeY,ZhaoZ,etal.ProgressandprospectofAlGaN-baseddeepultravioletlight-emittingdiodes[J].JournalofSemiconductors,2020,41(4):040801.
3.ZhuJ,WangY,ZhangJ,etal.Deepultraviolet-lightemittingdiodebasedonAlGaNquaternarylayerviametalorganicchemicalvapordeposition[J].AppliedSurfaceScience,2021,541:148454.