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一种射频MEMS开关高平整度牺牲层的制备方法.pptx
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汇报人：CONTENTSPARTONE射频MEMS开关的工作原理射频MEMS开关的应用领域射频MEMS开关的挑战与问题PARTTWO牺牲层在射频MEMS开关中的作用高平整度牺牲层的制备难点牺牲层制备方法对射频MEMS开关性能的影响PARTTHREE选用合适的材料确定合适的工艺流程控制关键工艺参数优化工艺条件PARTFOUR牺牲层表面平整度测试牺牲层与基底的结合力测试射频MEMS开关性能测试与其他制备方法的效果对比PARTFIVE制备方法的优势制备方法的局限性未来改进方向PARTSIX实际应用情况在其他领域
2024-10-06
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本发明属于牺牲层的制备方法技术领域，具体涉及一种实用化射频MEMS开关双层牺牲层的制备方法，包括下列步骤：准备晶圆；旋涂聚酰亚胺，平流并预固化；刻蚀开关锚点通孔，固化聚酰亚胺；旋涂AZ5214光刻胶；光刻、显影，保留下聚酰亚胺下凹处的AZ5214光刻胶，作为第二层牺牲层；溅射种子层；以AZ4620光刻胶作掩模，电镀开关上电极；释放牺牲层得到开关。本发明射频MEMS开关通过旋涂双层牺牲层获得了较好平整度，提升了射频MEMS开关的成品率和寿命，且射频MEMS开关的微波性能良好，接触灵敏，可应用于各类射频开关场
2023-11-13
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2024-11-13
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