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碱性抛光液中铜和钽CMP的去除速率控制和电偶腐蚀研究.pptx
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汇报人：目录PARTONE抛光液在CMP过程中的作用铜和钽在CMP中的挑战电偶腐蚀现象及其影响PARTTWO去除速率的影响因素优化去除速率的方法实验结果与讨论PARTTHREE电偶腐蚀的形成机制电偶腐蚀的影响因素防止电偶腐蚀的措施实验结果与讨论PARTFOUR去除速率与电偶腐蚀的相互影响优化CMP工艺的策略实验结果与讨论PARTFIVE研究结论对CMP工艺的改进建议未来研究方向THANKYOU
2024-10-06
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2024-10-16
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2024-11-15
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2024-10-26
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TSVCuCMP碱性抛光液及工艺摘要铜的比表面积很大，加之与周围环境接触，容易发生氧化等化学反应，从而形成氧化物膜。这种氧化物膜影响着铜材的电性能、稳定性和可靠性。因此，在制备铜材时，一定要采取有效的方法去除氧化物，使其表面保持洁净。CMP(化学机械抛光)技术是在光学器件制造领域应用得较为广泛的，它能够对铜薄膜表面进行抛光，去除表面的杂质和氧化物，从而改善铜薄膜的表面质量。本文主要介绍TSVCuCMP碱性抛光液及工艺的研究和应用。关键词：TSV；CMP；铜薄膜；碱性抛光液；工艺1引言随着半导体工艺的不断发
2024-11-03
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