GaAs基、Si基1.3微米量子点激光器研究的开题报告.docx
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Si基GaAs异变外延及Si基InAs量子点的研究任务书任务书一、项目背景及意义随着信息技术和微纳电子技术的不断发展,半导体材料的研究和应用也日益重要。Si基GaAs异变外延和Si基InAs量子点是目前半导体领域中的研究热点,对于未来半导体领域的发展具有非常重要的意义。Si基GaAs异变外延,指的是在Si基底片上生长GaAs材料。GaAs是III-V族化合物半导体,具有很好的光电性能和物理性能。由于GaAs的本征能隙比Si小很多,可以在可见光范围内发射和吸收光,因此具有广泛的应用前景。异变外延技术可以将G
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InP基2--3微米量子阱激光器工艺与性能研究的开题报告一、选题背景及意义现代通信技术中光通信技术的发展日新月异,激光器作为光通信技术中必要的组件之一,不断得到业界的高度关注。而近年来,量子阱激光器由于其高效性、低阈值及广泛的应用领域,一度被业界认为是激光器发展的一大趋势。同时,不同材料的量子阱激光器性能区别较大,因此针对特定材料的研究是十分重要的。在此背景下,本文以InP基2--3微米量子阱激光器为研究对象。目前,2--3微米激光器的研究已成为学术界研究的热点,2--3微米激光器在医疗、材料加工、制造业