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基于65nm体硅CMOS工艺的单粒子瞬态效应电路加固技术研究的任务书
任务书
一、任务背景
随着微电子技术的不断发展，计算机和通信等领域对电路的要求越来越高。而单粒子瞬态效应（SEU）是一种极具挑战性的问题，它可以导致电路的失效或性能下降。随着芯片尺寸的减小，芯片上电路的集成度越来越高，因此，SEU的影响也越来越严重。相应的，研究加固措施，亦日益迫切。因此，本研究旨在研究基于65nm体硅CMOS工艺的单粒子瞬态效应电路加固技术。
二、主要研究内容与目标
（一）研究内容
1.研究65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应的发生机制。
2.研究当前单粒子瞬态效应加固方法。
3.研究加固方法的优缺点以及适用范围。
4.提出基于65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应电路加固的新方法。
5.验证新方法的可行性并对比各种加固方法的效果。
（二）目标
1.深入了解单粒子瞬态效应的发生机制，并分析其对电路的影响。
2.掌握当前单粒子瞬态效应加固方法，比较其优缺点，总结适用范围。
3.提出一种基于65nm体硅CMOS工艺的单粒子瞬态效应电路加固方法，并验证其可行性。
4.在验证的基础上，对比各种加固方法的效果，提出改进意见。
三、研究方法
1.文献综述法：对国内外电路SEU加固的研究成果进行归纳整理。
2.仿真模拟法：使用电路仿真工具对不同加固方法进行模拟和分析，比较其性能。
3.实验方法：利用自建的电路实验平台进行部分加固方案在物理实验上的验证。
四、预期研究成果
1.系统深入了解65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应的发生机制。
2.对当前单粒子瞬态效应加固方法进行研究，分析其优缺点和适用范围。
3.提出了一种基于65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应电路加固的新方法，并对其可行性进行验证。
4.在验证的基础上，对比各种加固方法的效果，提出改进意见。
五、研究进度安排
1.第1-2个月：对单粒子瞬态效应的发生机制进行深入研究，并总结其对电路的影响。
2.第3-4个月：对当前单粒子瞬态效应加固方法进行研究，分析其优缺点和适用范围。
3.第5-6个月：提出一种基于65nm体硅CMOS工艺下单粒子瞬态效应电路加固的新方法，并进行仿真模拟。
4.第7-8个月：对新方法进行物理实验验证，并总结实验结果。
5.第9-10个月：对比各种加固方法的效果，提出改进意见。
6.第11-12个月：完成论文撰写和答辩准备。
六、参考文献
1.刘宗竹，杨学全.基于CMOS工艺的空气中单粒子瞬态效应的模拟与分析[J].现代电子技术，2018，41(20)：116-120.
2.邵迎新，黄康胜，聂茂生.基于射线脉冲注入的单粒子瞬态效应验证平台[J].计算机应用研究，2019，36(4)：1327-1331.
3.YAOGuan-Ying,HUANGRong,HUANGZhong-Qi,etal.ImplementationandTestingofaRadiation-HardenedArithmeticLogicUnitona65-nmTechnology[J].ChinesePhysicsLetters,2017，34(9)。
4.T.Matsuda,Y.Mika,T.Tsunashima,etal.AMethodforAnalyzingSEUResilienceofCommercialSRAMinCombiningParticleExperimentswithCHIPSoftErrorRateMethodology[J].IEEETransactionsonNuclearScience,2013,60(6)。