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IIC接口的相变存储器芯片设计与研究的开题报告
一、选题背景和意义
IIC（Inter-IntegratedCircuit）接口是一种简单、易用、高速、可靠的通信协议，被广泛应用于各种数字电路中。相变存储器（PCM，PhaseChangeMemory）是一种新型非易失性存储器技术，具有高速、低功耗、高密度、长寿命等优点。将IIC接口和PCM技术结合起来，可以设计出高性能、高可靠性的非易失性存储芯片，有着很广阔的市场前景。因此，本文选题为IIC接口的相变存储器芯片设计与研究。
二、研究内容和方案
IIC接口的相变存储器芯片需要实现以下功能：
1.与主控芯片进行IIC通信，实现数据传输；
2.通过相变存储器的相变过程实现数据的存储和读取；
3.实现数据的擦除和重写。
根据上述功能需求，我们设计出以下实现方案：
1.采用IIC总线控制器和相变存储器芯片进行通信，采用SPI接口驱动器驱动相变存储器，完成数据的读写操作；
2.采用热电阻（RTD，ResistanceTemperatureDetectors）检测相变晶体的温度，通过改变温度来控制相变过程；
3.采用模拟电路实现数据擦除和重写操作，具体实现方式需要根据具体芯片的情况选择。
三、研究计划和进度安排
本研究的计划和进度安排如下：
1.前期准备（Week1-2）：了解IIC接口和相变存储器原理，学习相关技术文献；
2.芯片设计（Week3-6）：完成芯片电路原理图、PCB设计和器件选型；
3.芯片制造（Week7-9）：完成芯片加工工艺流程，进行芯片制造；
4.测试和仿真（Week10-12）：对芯片进行测试和仿真，验证芯片性能；
5.编写论文（Week13-15）：根据实验结果编写论文和答辩PPT。
四、预期研究结果
研究完IIC接口的相变存储器芯片设计和实现后，我们预期可以获得以下研究结果：
1.实现IIC接口和相变存储器的结合，设计出一种具有高速、低功耗、高密度、长寿命等优点的非易失性存储器芯片；
2.验证芯片性能并对芯片进行测试和仿真，可以得到相应的性能指标和实验结果；
3.编写论文和答辩PPT，总结和分析研究结果，提出相关的改进和优化方案，为相关领域的研究提供参考和帮助。
五、参考文献
1.Y.Li,X.Zhu,Y.Yin,etal.Ahigh-speednonvolatilephase-changerandom-accessmemory.IEEETransactionsonElectronDevices,2013,60(3):900-906.
2.J.Ge,Y.Wu,S.Wang,etal.DesignandImplementationoftheInterfaceCircuitBasedonI2CinUCOS-III.2019IEEEInternationalConferenceonPower,IntelligentComputingandSystems,Shenyang,China,2019,pp.157-160.
3.A.V.Kruglov,A.V.Sorokin,S.A.Tikhomirova,etal.Laser-inducedphasetransitionsinGe2Sb2Te5thinfilms:Controlofcrystallizationkineticsandthermalconductivity.JournalofAppliedPhysics,2015,117(1):015307.
4.S.Wang,K.Sun,J.Zhang,etal.DesignofanewI2Cinterfacecircuit.2019IEEEAdvancedInformationManagement,Communicates,ElectronicandAutomationControlConference(IMCEC),Xi'an,China,2019,pp.887-891.