200V SOI-LIGBT器件的SPICE模型研究与应用的任务书.docx

200VSOI-LIGBT器件的SPICE模型研究与应用的任务书
任务书
一、任务背景
针对目前电力行业领域在高功率电力电子装置中普遍使用的LIGBT（LateralInsulatedGateBipolarTransistor）器件的使用效果和其相关模型的研究偏差较大的问题，本次研究计划提出了一个基于200V的SOI-LIGBT（SiliconOnInsulator-LateralInsulatedGateBipolarTransistor）器件的SPICE（SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis）模型研究与应用方案。
二、任务目标
通过本次研究，达到以下目的：
1.研究200V的SOI-LIGBT器件的基本原理以及其相关特性；
2.对SOI-LIGBT器件进行建模，并通过SPICE进行仿真和模拟研究；
3.验证建模后的SOI-LIGBT器件的正确性和准确度，并进行应用研究，探究在高功率电力电子装置中的实际使用效果；
4.实现器件模型的可重复性和可靠性，以方便行业内其他领域的使用。
三、任务步骤
1.研究200V的SOI-LIGBT器件的基本原理和相关特性，将理论研究与实际操作相结合，探究器件的电性能参数，解析器件发热及其冷却方式，以提高学术研究的深度和广度。
2.根据研究结果，对SOI-LIGBT进行建模，实现器件的电路等效模型和参数提取，将其转化为适合SPICE模拟器使用的模型，并进行准确性分析，寻找建模的方法；
3.使用SPICE进行模拟，先建立一个简单的SOI-LIGBT电路，通过仿真和模拟验证其性能参数和特性；
4.通过对建模后的SOI-LIGBT进行性能测试以及与实际器件进行对比，验证模型的正确性、准确性、精度和可靠性；
5.在模拟研究的基础上，开展器件的应用研究，在高功率电力电子装置中进行实际应用，寻找其最优的电路参数和工作区域，进一步探究其实际性能；
6.总结研究结果，并进行相关分析，评估模型的准确性、精度和可靠性，撰写成果论文以及相关报告。
四、任务时间
本次研究将分为两个阶段。第一阶段的研究时间为3个月，主要用于对SOI-LIGBT器件的理论研究和建模方法的确定；第二阶段的研究时间为3个月，主要用于对建模后的SOI-LIGBT器件的性能测试以及在应用中的实际验证。
五、任务条件
1.实验室条件：本次研究需要用到电力电子实验室中的相关设备和仪器，包括高压源、示波器、温度计、电流表等。
2.软件条件：SPICE仿真器、EDA软件等。
3.人员支持：需要1-2名电力电子专业的研究人员和1-2名SPICE仿真工程师。
六、任务要求
本次研究的要求如下：
1.全面掌握SOI-LIGBT器件的基本原理和电路等效模型的建立方法；
2.熟练掌握电力电子实验室中的相关设备和仪器，以及SPICE仿真器等软件；
3.严格按照任务计划进行研究，按时完成各项研究任务；
4.完成相关的论文和报告，定期向团队主管汇报研究进展情况。