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SiSiC异质结构材料生长与研究的任务书
任务书
一、任务背景
碳化硅（SiC）作为一种重要的半导体材料，在电力电子、光电子、空间、军事和航空航天等领域具有广泛的应用场景。而SiC异质结构材料，由于其具有较宽的能隙、高电子迁移率、较高的热稳定性和高机械强度等特殊性质，具有更加优越的电学和光学特性，可应用于高功率电子器件、高密度的照明设备、太阳能电池以及高性能传感器等领域。因此，研究SiC异质结构材料的生长与性能，对于推动半导体材料领域的创新和发展，具有重要的意义。
二、任务目标
本任务旨在通过对SiC异质结构材料生长与性能的研究，实现以下目标：
1.生长具有优异结构特性的SiC异质结构材料。
2.分析和评估不同生长参数对SiC异质结构材料结晶质量和性能的影响。
3.探究SiC异质结构材料的电学和光学性能，并深入研究其在电力电子、光电子、航空航天等领域的应用。
三、任务内容
为了实现以上目标，本任务的具体内容如下：
1.文献调研和理论分析
通过对国内外已有的文献和研究成果进行调研，并结合SiC异质结构材料的特殊性质和应用要求，分析其生长和性能存在的问题及其原因，为后续实验提供理论指导。
2.SiC异质结构材料生长实验
基于理论分析，设计和实施SiC异质结构材料的生长实验，包括选择适当的生长方法、优化生长条件、研究不同生长参数对材料性能的影响等。
3.材料性能检测与分析
对生长的SiC异质结构材料进行材料学和性能检测，包括扫描电子显微镜、X射线衍射、紫外-可见吸收谱等检测方法，对所得数据进行分析和评估其结晶质量和性能。
4.性能应用研究
以电力电子、光电子、航空航天等应用领域为重点，深入研究SiC异质结构材料的电学和光学性质，探究其在这些领域的应用潜力。
四、预期成果
1.完成SiC异质结构材料生长和性能研究，获得关于SiC异质结构材料的新成果、新理论和新方法。
2.发表论文若干，其中部分论文发表在国际一流的材料学和电子学期刊上。
3.推动SiC异质结构材料在电力电子、光电子、航空航天等领域的应用，提升我国在半导体材料领域的研究和产业发展水平。
五、前期条件
1.确定并配备相应的实验设备。
2.具有相关物理、化学、电子学等学科背景的研究人员。
3.已有一定量的SiC异质结构材料生长和性能测试基础。
六、任务执行计划
该任务的执行时间为两年，计划分为以下阶段：
第一阶段（第1个月-第6个月）：文献调研和理论分析，确定SiC异质结构材料生长实验方案。
第二阶段（第7个月-第18个月）：SiC异质结构材料生长实验，对所得样品进行性能测试和分析。
第三阶段（第19个月-第24个月）：性能应用研究，撰写论文并进行学术交流。
七、任务经费
该任务预计经费为500万元，主要包括实验设备购置、人员费用、材料费等开支。其中实验室设备的购买比重约为60%。