MMC系统功率器件基频结温波动快速计算方法.pptx
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MMC系统功率器件基频结温波动快速计算方法.pptx
汇报人:CONTENTSMMC系统概述MMC系统的定义和组成MMC系统的基本工作原理功率器件结温波动计算的重要性结温波动对功率器件性能的影响快速计算结温波动的必要性基频结温波动计算方法基频结温波动的基本概念基频结温波动的计算方法计算方法的实现流程快速计算方法的优势和应用快速计算方法的优点快速计算方法的应用场景快速计算方法对MMC系统设计的影响实际应用和效果评估实际应用情况介绍效果评估方法和标准效果评估结果和分析结论与展望研究结论研究展望汇报人:
功率器件恒结温老化装置.pdf
本发明提供一种功率器件恒结温老化装置,包括:热源模块,包括功率器件本身或者功率器件本身和相邻功率器件,用于基于施加的热耗通过自热或互热的方式产生热量为恒结温老化提供底温;温度监控模块分别与功率器件和热耗控制模块连接,用于监测和控制功率器件的温度,使功率器件的温度维持在目标底温,并将监测的温度发送给热耗控制模块;热耗控制模块还与热源模块连接,用于当功率器件的温度超过预设温度阈值且无法通过调节达到预设温度阈值范围内时,产生温度预警信息,并根据温度预警信息调节功率器件的热耗到目标热耗,使功率器件基于目标底温和目
基于环境温度和功率损耗的芯片结温实时计算方法及系统.pdf
本发明公开了一种基于环境温度和功率损耗的芯片结温实时计算方法、系统、介质及设备,属于功率模块技术领域,用于解决目前芯片结温难于测量的技术问题,采用电学的原理来模拟解决,具体包括步骤:1)采用电路形式搭建芯片热传导模型;2)辨识热传导模型中的参数;3)计算芯片功率损耗;4)将实际环境温度值以可控电压源的形式加入到热传导模型中;5)通过热传导模型仿真计算,得到芯片实时温度。本发明具有计算过程简单、芯片结温易于得到等优点。
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Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望.docx
Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望标题:Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望摘要:随着功率电子器件的不断发展和应用领域的不断扩大,功率器件的结温(junctiontemperature)的准确测量与评估变得至关重要。本文综述了Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取技术的现状,包括传统测量方法及其限制,以及近年来提出的新技术和方法。同时,还讨论了目前的挑战和未来的发展方向,以期为工程师和研究人员提供参考和启示。1.引言随着半导体材料的不断发展,硅和碳化硅已成为最为常用的功率器件材料。在功