半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究.pptx
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汇报人:CONTENTS添加章节标题多晶硅薄膜的制备方法化学气相沉积法物理气相沉积法溶胶-凝胶法脉冲激光沉积法多晶硅薄膜的性能研究电学性能光学性能机械性能化学稳定性多晶硅薄膜的应用领域半导体器件太阳能电池微电子机械系统传感器多晶硅薄膜的未来发展前景技术创新方向市场应用前景产业政策支持技术发展瓶颈与挑战汇报人:
半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究的任务书.docx
半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究的任务书任务书一、任务概述半导体火工桥是一种重要的爆炸点火元器件,其核心部分是由多晶硅薄膜构成的电阻丝。多晶硅薄膜具有低电阻率、高温稳定性、良好的可控性和低制造成本等优点,因此在制备半导体火工桥中具有广泛应用。本研究旨在对多晶硅薄膜的制备及性能进行研究,为半导体火工桥的制备提供技术支持。二、任务内容1.多晶硅薄膜制备工艺研究(1)通过文献综述和实验探究,确定适合半导体火工桥制备的多晶硅薄膜制备工艺;(2)研究多晶硅薄膜制备所需的材料和仪器设备,包括硅源材料、载气、沉
有机含能薄膜半导体桥的制备及性能研究的任务书.docx
有机含能薄膜半导体桥的制备及性能研究的任务书任务书题目:有机含能薄膜半导体桥的制备及性能研究任务背景:有机薄膜半导体作为电子器件中的重要材料之一,具有低成本、柔性、可加工性强等特点,在平板显示、光电器件、传感器等领域有着广泛应用。近年来,随着能源紧缺与环境保护意识的增强,研究可再生能源以及节能、绿色的新型电子器件材料成为重要的研究方向。而有机薄膜半导体具有形貌、结构可调和功能化修饰等优势,被认为是未来绿色、环保电子器件材料的有力选择。任务要求:1.了解有机半导体的电学性质,包括载流子迁移率、载流子浓度、封
用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究.pdf
第34卷第2期人工晶体学报Vol.34No.22005年4月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSApril,2005用快速光热退火制备多晶硅薄膜的研究张宇翔,王海燕,陈永生,杨仕娥,郜小勇,卢景霄,冯团辉,李瑞,郭敏(郑州大学物理工程学院,郑州450052)摘要:用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅(a2Si:H)薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火(RPTA),得到了多晶硅薄膜。然后,进行XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等的测量。结果发现,a2Si:H薄膜在RPTA退火中,
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告.docx
APCVD法多晶硅薄膜的制备及其性能研究的中期报告一、研究背景APCVD(AtmosphericPressureChemicalVaporDeposition)是一种常温下进行的气相沉积技术,它具有化学反应活性高、沉积速率快、成本低等优点,在硅器件制造中得到广泛应用。其中,APCVD法多晶硅薄膜的制备技术被广泛研究,能够制备高质量多晶硅薄膜,用于太阳能电池、TFT-LCD等器件。本研究旨在分析APCVD法制备多晶硅薄膜的过程,探究影响多晶硅薄膜质量的因素,并研究多晶硅薄膜的性质。通过实验研究,总结得出对多