In、Tl在Si(111)面吸附特性的第一性原理研究的任务书.docx

In、Tl在Si(111)面吸附特性的第一性原理研究的任务书
任务书：In、Tl在Si(111)面吸附特性的第一性原理研究
任务概述：
本任务的主要目标是使用第一性原理计算方法，研究In和Tl与Si(111)表面的吸附特性。具体而言，需要计算吸附能、晶格常数、电子结构和表面形貌等参数，并对各种吸附状态进行对比分析，以便更好地理解In、Tl在Si(111)表面的行为。
任务要求：
1.熟练掌握第一性原理计算方法和软件工具，例如VASP等。
2.具备一定的物理化学知识和材料学知识，了解固体物理学和表面物理学等相关领域的基本概念和理论。
3.独立完成计算过程和数据分析工作，撰写清晰、准确且具有严谨性的实验报告。
4.熟练使用英文文献检索工具，查阅和综合相关领域的文献资料，并加以理解和分析。
5.在任务完成后，应该能够对In、Tl在Si(111)表面的吸附特性有更深入的理解，并能够提出相应的研究建议。
任务内容：
1.寻找合适的计算模型，并对Si(111)表面进行结构优化和晶格常数计算，为后续的吸附计算做准备。
2.对In和Tl在Si(111)表面进行吸附计算，包括吸附能、结合长度和表面形貌等参数的计算。
3.分析In、Tl在Si(111)表面的电子结构特性，并对各种吸附状态进行对比分析，以便更好地了解吸附过程。
4.探究In、Tl在Si(111)表面的吸附行为对晶格结构的影响，并针对吸附物的位置和密度等参数进行讨论和分析。
5.撰写实验报告，总结所得到的结果，对研究中的问题和不足进行思考，并提出相应的研究建议。
任务进度安排：
第一周：
1.学习和回顾第一性原理计算方法和软件工具的使用。
2.寻找合适的计算模型并进行结构优化和晶格常数计算。
第二周：
1.对In和Tl在Si(111)表面的吸附进行计算，并研究其吸附能、结合长度和表面形貌等特性参数。
2.分析各个吸附状态的电子结构特性，并进行详细讨论。
第三周：
1.探究In、Tl在Si(111)表面的吸附行为对晶格结构的影响，并讨论吸附物的位置和密度等参数的影响。
2.总结计算结果和分析结果，并撰写实验报告的初稿。
第四周：
1.根据导师的意见和建议，完善实验报告并进行修改。
2.将所得到的结果和分析经验综合总结，提出相应的研究建议。
参考文献：
1.WangD,TanMJ,ZhaoH,etal.AdsorptionanddiffusionofInonSi(111)surfaces:adensityfunctionaltheorystudy.TheJournalofPhysicalChemistryC,2014,118(3):1511-1517.
2.GuoY,YinY,JiangT,etal.InterfacialpropertiesanddiffusionbehaviorsofTladatomsoncleanandhydrogenatedSi(111)surfaces:Anabinitiostudy.TheJournalofChemicalPhysics,2012,137(7):074701.
3.DudiySV,AsatryanAS,KublikowskiPW,etal.AdsorptionofthalliumonSi(111)surfaces:adensity-functionaltheorystudy.AppliedSurfaceScience,2020,526:146800.