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基于极化电场调控AlGaN基紫外探测器的研究的任务书 一、选题背景 随着光电器件技术的不断发展,紫外探测器已经成为当前研究热点之一。由于具有高灵敏度、快速响应、宽波段覆盖等特点,紫外探测器在光通信、气体分析、人体生理学等领域有着广泛的应用前景。钨化硅、铝电极、氮化硅等材料都被用于制备紫外探测器,但它们的响应速度和量子效率还有待改善。而AlGaN材料,由于其在紫外波段的高透过性和高波束,被认为是一种潜力巨大的材料。然而,由于AlGaN的高电场缺陷密度和表面态,其性能往往受到限制。 因此,寻找新的优化方案以提高AlGaN基紫外探测器性能变得愈发重要。极化电场调控技术是一种有效的优化方案,可以改善AlGaN材料表面的电学特性和外场响应特性,从而提高紫外探测器的性能。 二、选题目的 本研究的主要目的是研究极化电场调控技术对AlGaN基紫外探测器响应特性的影响,并探究其物理机制,为提高紫外探测器的性能提供理论指导和技术支持。 三、研究内容 1.根据AlGaN基紫外探测器的电学特性和外场响应特性,分析极化电场调控技术的优缺点,确定合适的工艺方案。 2.搭建实验平台,制备AlGaN基紫外探测器,研究不同极化电场调控下的材料特性和器件性能,比较不同条件下的响应速度和量子效率。 3.分析实验结果,探究极化电场调控对AlGaN基紫外探测器响应特性的影响及其物理机制,深入探究电场中产生的载流子动力学和自由载流子的传输。 4.基于实验结果和理论分析,提出优化方案和措施,改善AlGaN基紫外探测器的性能。 四、进度计划 第一阶段(1个月):文献调研,确定研究方向和工艺方案。 第二阶段(2个月):搭建实验平台,制备AlGaN基紫外探测器,研究不同极化电场下的材料特性和器件性能。 第三阶段(2个月):分析实验结果,探究极化电场调控对AlGaN基紫外探测器响应特性的影响及其物理机制。 第四阶段(1个月):基于实验结果和理论分析,提出优化方案和措施,改善AlGaN基紫外探测器的性能。 第五阶段(1个月):撰写毕业论文,并进行答辩。 五、预期成果 1.研究AlGaN基紫外探测器的电学特性和外场响应特性。 2.探究极化电场调控对AlGaN基紫外探测器响应特性的影响及其物理机制。 3.提出优化方案和措施,改善AlGaN基紫外探测器的性能。 4.发表学术论文一篇。 六、参考文献 [1]ChenW,XiaY,LiX,etal.Growth,characterization,andapplicationofAlGaN-basednanowiresthroughmolecularbeamepitaxy.JournalofMaterialsChemistryC,2020,8(15):5226-5242. [2]LiJH,LiuYZ,LiangSS,etal.High-responsivityultravioletphotodetectorbasedonAlGaN/GaNheterojunction.OpticsExpress,2016,24(6):6190-6196. [3]FayP,BahramiH,KandaswamyPK,etal.High-performanceAlGaN-basedsolar-blindultravioletphotodiodeswithcombinedcutting-edgetechnologies.AppliedPhysicsExpress,2018,11(6):062701. [4]WuJ,ZhaoD,ZhangJH,etal.TheinvestigationonpolarizationeffectsofAlGaN/AlN/GaNHEMTstructures.AppliedSurfaceScience,2014,317:815-818. [5]HuP,ZhangYY,ZhangHJ,etal.ThestudyonsurfaceeffectsofpolarizationofAlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistors.AppliedSurfaceScience,2015,322:64-68.