低碳钢中第二相粒子析出行为的相场法模型及其模拟研究.pptx
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单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究的任务书任务书任务主题:单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究任务背景:单晶硅片是半导体材料的重要组成部分,其质量对于半导体器件的性能具有重要影响。氧沉淀是单晶硅片中的一个常见现象,也是影响其性能的重要因素之一。因此,研究单晶硅片中氧沉淀的演化行为,对于优化半导体器件的性能,提高其质量具有重要意义。传统的试验方法对于氧沉淀演化行为的观测存在一定的局限性,因此需要采用模拟研究的方法。相场法是一种基于自由能变化的物理模型,其可以通过模拟材料的相变和演化