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TSV硅基转接板的电学特性机理研究.pptx
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2024-10-02
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TSV硅基转接板的电学特性机理研究一、绪论传输线技术是现代电子通信领域中不可或缺的技术之一，其涉及的传输线模型、参数及接口问题都对于电路的电学性能产生重要影响。由于传输线自身具有一定的传输电容和传输电感，此类电容和电感对于电路特性的影响是无法忽略的。在实际设计中，为了满足传输数据的要求，我们常常需要使用TSV硅基转接板来实现高速数字信号的传输。而TSV硅基转接板的电学特性机理研究是十分重要的。本文将围绕TSV硅基转接板的电学特性展开探讨，重点分析TSV硅基转接板的性能特点、机理分析和影响因素，最后提出TS
2024-10-15
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TSV硅基转接板的电学特性机理研究的任务书.docx
TSV硅基转接板的电学特性机理研究的任务书任务书：TSV硅基转接板的电学特性机理研究任务背景：TSV硅基转接板是一种新型的互联技术，在高速信号传输和三维集成领域有着广泛的应用前景。然而，TSV的复杂结构和电学特性的影响因素较多，目前对其电学特性机理的研究较少，因此需要开展相应的研究。任务目的：本次任务旨在通过对TSV硅基转接板的电学特性进行研究，探究其产生的机理和影响因素，为TSV技术的应用研究提供理论支持。任务内容：1.TSV硅基转接板的制备：在实验室中制备TSV硅基转接板样品，包括硅片的腐蚀、钝化、电
2024-10-15
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一种电镀填充硅基TSV转接板的方法.pdf
本发明公开一种电镀填充硅基TSV转接板的方法，步骤包括：1)制备的带有双面干膜光刻胶的通孔晶圆，在其单面粘贴绝缘膜；2)单面电镀；3)去除步骤1)中的单面绝缘膜；4)将步骤3)中去除单面绝缘膜的一面对应阳极；5)继续填充未被填充的部分；6)去除光刻胶、种子层，制备无暇连接的Cu-TSV与Cu-Pad。通过本发明可以将TSV盲孔填充工艺移植到TSV通孔电镀填充工艺中，大大降低了TSV通孔电镀填充的难度；以更高的效率、更低的成本填充硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
2023-06-28
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2024-10-18
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