半导体制造技术--离子注入工艺.pptx
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Chapter8离子注入目标离子注入简介掺杂半导体:扩散沉积掺杂氧化层氧化驱入剥除和清洗栅极的对准失误离子注入控制离子注入的应用阻滞机制两种阻滞机制阻滞机制阻滞机制阻滞功率与离子速度投影射程通道效应碰撞后的通道效应问与答损害制程掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子掺杂物原子退火前快速加热步骤和高温炉退火问与答离子注入机注入制程射频离子源微波离子源离子布质机的质谱仪BF3电浆中的离子问与答后加速系统离子束轨迹弯曲电荷中性化系统带电效应电荷中性化系统电子枪晶圆处理器CMOS离
半导体制造技术导论chapter8离子注入工艺.ppt
123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869707172737475767778798081828384858687888990919293949596979899100101102103104105106107108109110111112113114115116117118119120121
半导体制造技术导论chapter8离子注入工艺.ppt
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半导体制造工艺_09离子注入(上).ppt
有关扩散方面的主要内容实际工艺中二步扩散什么是离子注入离化后的原子在强电场的加速作用下注射进入靶材料的表层以改变这种材料表层的物理或化学性质离子注入特点磁分析器源(Source):在半导体应用中为了操作方便一般采用气体源如BF3BCl3PH3AsH3等。如用固体或液体做源材料一般先加热得到它们的蒸汽再导入放电区。b)离子源(IonSource):灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下获得足够的能量后撞击源分子或原子使它们电离成离子再经吸极吸出由初聚焦系统聚成离子束射向
半导体制造工艺_09离子注入(上).ppt
有关扩散方面的主要内容实际工艺中二步扩散什么是离子注入离化后的原子在强电场的加速作用下,注射进入靶材料的表层,以改变这种材料表层的物理或化学性质离子注入特点磁分析器源(Source):在半导体应用中,为了操作方便,一般采用气体源,如BF3,BCl3,PH3,AsH3等。如用固体或液体做源材料,一般先加热,得到它们的蒸汽,再导入放电区。b)离子源(IonSource):灯丝(filament)发出的自由电子在电磁场作用下,获得足够的能量后撞击源分子或原子,使它们电离成离子,再经吸极吸出,由初聚焦系统聚成离