SiC MOSFET功率器件标准研究.pptx
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汇报人:CONTENTSPARTONE定义与分类应用领域优势与挑战PARTTWO国内外标准现状标准制定意义与价值标准制定难点与问题PARTTHREE标准体系结构标准体系内容标准体系实施路径PARTFOUR已发布标准梳理在研标准研究进展国际合作与交流PARTFIVE未来技术发展趋势标准发展趋势与需求未来发展重点与方向PARTSIX结论总结对策建议汇报人:
SiC MOSFET功率器件的封装技术改进研究的开题报告.docx
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SiC MOSFET功率器件研制及栅介质特性研究的开题报告.docx
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环形栅SiC MOSFET功率器件及制作方法.pdf
本发明公开一种环形栅SiCMOSFET功率器件及制作方法,涉及半导体技术领域,包括漏极金属层、SiC衬底、漂移层、在漂移层上开设的两个环形阱区,两个源区分别设置于环形阱区内部;内阱区内部的为MOSFET功率器件的第一源区,外阱区内部的为MOSFET功率器件的第二源区;第一源区和第二源区上方设置有源极金属区;栅极设置于内阱区和外阱区上方的源极金属区之间;内阱区与第一源区形成第一PN结,外阱区与第二源区形成第二PN结。该器件形成的导电沟道为围绕栅极的结构,所以纵向电流分布为环形,避免了电流集中,降低了器件内