光子晶体禁带特性..ppt
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含缺陷一维光子晶体禁带特性替代型缺陷层所处位置对光子禁带的影响解释:不同位置的缺陷层对一维光子晶体周期性结构完整性的破坏程度不同,在中间位置的缺陷层对光子晶体的结构完整性破坏最大,因而产生的缺陷模最大。那些稍偏的位置对光子晶体完整性破坏比较小,有的位置基本没有影响,甚至不会出现缺陷模。综上所述,当N’取值为位于一维光子晶体中间位置时,缺陷模最大;反之,当N’取值为位于两端位置时,缺陷模比较小,甚至不存在缺陷模。另外,无论N‘怎样取值,基本不影响缺陷模的位置和禁带宽度。缺陷层折射率对光子禁带的影响随着n3增
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光子晶体的禁带特性及其研究方法的综述报告光子晶体是一种新型的材料,能够实现对电磁波的精确控制和调节,因此在光学、电子学、化学等领域发挥着重要的作用。在光子晶体中存在着一种特殊的现象,即禁带效应。本文将就光子晶体的禁带特性及其研究方法进行综述。一、光子晶体的禁带特性光子晶体是由周期性的介质结构构成的晶体。在光子晶体中,入射光线遇到介质周期性结构时,会出现多种散射现象,从而形成了能隙禁带。这就是光子晶体的禁带特性。禁带是指一定范围内,某种电磁波不能在介质中传播的能量带。在光子晶体中,光波在通过光子晶体时会受到
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混合柱形二维光子晶体禁带特性研究混合柱形二维光子晶体禁带特性研究摘要:光子晶体是一种周期性结构,具有光子禁带特性,因此在光学器件中具有重要应用价值。本文针对混合柱形二维光子晶体的禁带特性进行了研究。通过数值模拟方法,分析了混合柱形二维光子晶体的禁带带宽和中心频率的变化规律,并探讨了其中的物理机制。研究结果表明,混合柱形二维光子晶体具有比较宽的禁带带宽,且随着掺杂浓度的增加而增大。同时,改变不同的柱形结构对禁带特性也有显著影响。本研究对混合柱形二维光子晶体的禁带特性有一定的深入理解,为光子晶体的设计与应用提