预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10

亲,该文档总共21页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

含缺陷一维光子晶体禁带特性替 代 型缺陷层所处位置对光子禁带的影响解释:不同位置的缺陷层对一维光子晶体周期性结构完整性的破坏程度不同,在中间位置的缺陷层对光子晶体的结构完整性破坏最大,因而产生的缺陷模最大。那些稍偏的位置对光子晶体完整性破坏比较小,有的位置基本没有影响,甚至不会出现缺陷模。综上所述,当N’取值为位于一维光子晶体中间位置时,缺陷模最大;反之,当N’取值为位于两端位置时,缺陷模比较小,甚至不存在缺陷模。另外,无论N‘怎样取值,基本不影响缺陷模的位置和禁带宽度。缺陷层折射率对光子禁带的影响随着n3增大, 缺陷模向长波方向漂移,每个缺陷模都有产生、移动和消失的过程 适当调节缺陷层c的折射率,可以使单缺陷一维光子晶体的禁带中同时存在两个,甚至更多缺陷模。缺陷层光学厚度对光子禁带的影响通过改变缺陷层光学厚度n3h3,可以使禁带中同时存在两个缺陷模,这说明不需要引入多个缺陷层,可以通过改变缺陷层的参数使禁带中出现多个缺陷模。一维光子晶体禁带的展宽普通光子晶体一维光子晶体的串联1、字体安装与设置