氧化镓基日盲位置探测器研究的开题报告.docx
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氧化镓基日盲位置探测器研究的开题报告.docx
氧化镓基日盲位置探测器研究的开题报告氧化镓基日盲位置探测器研究开题报告一、研究选题的背景和意义随着现代技术的发展,对于精准测量和探测的要求也越来越高。在人类探索宇宙和深海等未知领域的过程中,精准的探测技术尤为重要。因此,氧化镓基日盲位置探测器的研究具有十分重要的意义。氧化镓是一种重要的半导体材料,在现代电子技术中得到了广泛应用。其独特的光电性质和高速响应特性,使其成为高性能光电器件的理想材料。而氧化镓基日盲位置探测器则是一种基于氧化镓光电性质的新型精准位置探测器,其具有高分辨率、高精度和高灵敏度等特点,在
氧化镓基日盲探测器及其制备方法.pdf
本发明提供一种日盲光电探测器及其制备方法,日盲光电探测器包括:含氧化镓外延层的氧化镓衬底;源极和漏极,分别与氧化镓衬底形成肖特基接触;氧化硅钝化层,形成于氧化镓衬底、源极和漏极之上;从氧化硅钝化层开设置氧化镓衬底内的沟槽;氧化铝层,形成于沟槽底部和沟槽侧壁;栅极,沟槽的氧化铝层之上及氧化硅钝化层之上。本发明采用特定的三端结构,通过栅极可以调节沟道的载流子浓度,从而可以很便利的调节器件的暗电流。
氧化镓基日盲紫外光电探测器.pdf
本发明涉及一种氧化镓基日盲紫外光电探测器,包括依次层叠设置的第一电极层、铁电层、氧化镓层和第二电极层,其中,第一电极层与铁电层形成欧姆接触。本发明中,铁电层自发极化形成的局域场能够用于耗尽氧化镓层的内部缺陷,调控氧化镓层的能带结构及界面耗尽区宽度,而存在于氧化镓层中的光生电子空穴对在耗尽区及外电场的作用下会被加速,由此提高了氧化镓基日盲紫外光电探测器光生载流子的浓度和分离效率,同时,铁电层的剩余极化能够调控氧化镓层的内部及界面缺陷的分布。因此,本发明的氧化镓基日盲紫外光电探测器的暗电流低、光暗电流比高,进
基于原子层沉积的氧化镓薄膜及日盲紫外探测器研究的开题报告.docx
基于原子层沉积的氧化镓薄膜及日盲紫外探测器研究的开题报告一、选题背景随着信息技术的发展和普及,对高性能半导体材料和器件的需求也越来越迫切。氧化镓(Galliumoxide,Ga2O3)是一种具有广阔应用前景的新型半导体材料,具有宽带隙、高耐高温及高能电子捕获能力等独特特性,因而在紫外光电探测、高功率电子器件和功率电子器件等方面具有广泛应用前景。对于氧化镓材料的制备,传统的方法主要包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶液法等。然而,这些方法通常存在生长速度慢、物质利用率低、样品质量难以控制等问题,在制备高质量氧
氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法,所述探测器包括金属层a,金属层a上依次设有输运层、电荷传导层和SiO