CdO基稀磁半导体纳米结构的制备及性质研究的任务书.docx

CdO基稀磁半导体纳米结构的制备及性质研究的任务书
任务书
一、背景：
稀磁半导体材料因其特殊的磁电性质而受到广泛关注。其中，CdO是一种具有独特性质的稀磁半导体材料，它具有宽带隙、高透明度和较大的自旋极化率等特点。CdO基稀磁半导体材料的制备及性质研究，对于探索其在磁电领域中的应用具有重要意义。同时，由于CdO本身还是一种半导体材料，所以它具有在微电子学领域中的潜在应用。
二、任务：
1.设计合理的实验方案，制备CdO基稀磁半导体纳米结构。
2.通过适当的实验方法，对样品进行微观结构和表面形貌的表征分析，包括扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段，揭示样品的形貌特征和晶体结构等信息。
3.采用磁性测量系统对样品进行磁性能的测试，研究CdO基稀磁半导体纳米结构的磁性质。
4.利用FTIR、Raman等光谱仪器对CdO基稀磁半导体纳米结构进行光学性质测试。
5.对CdO基稀磁半导体纳米结构的表面电荷分布情况进行计算模拟，研究电性质。
6.综合分析实验结果，探究CdO基稀磁半导体纳米结构的性质及其应用前景。
三、实验设备：
1.化学反应器（比如：真空旋转蒸镀仪、激光剥离仪等）。
2.扫描电子显微镜（SEM）及透射电子显微镜（TEM）。
3.磁性测量系统。
4.光谱仪器（FTIR、Raman）。
5.计算机模拟软件。
四、实验步骤：
1.通过化学反应器等设备，制备CdO基稀磁半导体纳米结构样品。
2.采用SEM和TEM等设备对CdO基稀磁半导体纳米结构样品进行形态结构和晶体结构的表征。
3.利用磁性测量系统对样品进行磁性能测试。
4.使用FTIR、Raman等设备对样品的光学性质进行测试。
5.通过计算机模拟方法，研究CdO基稀磁半导体纳米结构的表面电荷分布情况。
6.通过综合分析实验结果，探究CdO基稀磁半导体纳米结构的性质及其应用前景。
五、实验安全注意事项：
1.在化学反应过程中，应严格遵守实验室安全规定，并加强化学品的使用、管理和储存。
2.在使用SEM和TEM等电子显微镜时，应注意对设备的保养和调试，工作时应戴手套、眼镜等个人防护装备，并根据设备使用规范依次开机和待机。
3.使用磁性测量系统时，要注意避免磁性物质对设备的干扰并按照设备使用规则正确操作。
4.在使用光谱仪器进行测试时，应避免光线对眼睛的伤害，并严格按照设备使用规范操作。
5.在进行计算机模拟时，应注意设备的温度、电磁辐射等因素的影响。