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量子顺电体SrTiO3的制备及改性研究的中期报告
本研究旨在制备SrTiO3量子顺电体及对其进行表征和改性，以探究其在电子学和光电子学领域的应用。本报告介绍了研究的中期进展。
1.SrTiO3量子顺电体制备
我们采用溶胶-凝胶方法制备了SrTiO3量子顺电体薄膜。首先，我们制备了Sr和Ti溶胶溶液，分别使用乙醇和丙酮为溶剂，并在常温下搅拌2小时，制备出浓度为0.1mol/L的溶胶。然后将两种溶胶混合，加入苯乙烯丙酮和去离子水制备成凝胶液。将凝胶涂布在预处理的玻璃基板上，然后在300℃下热处理2小时，去除有机物，得到SrTiO3量子顺电体薄膜。
2.SrTiO3量子顺电体表征
我们使用X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对制备的SrTiO3量子顺电体薄膜进行表征。XRD结果显示，薄膜具有良好的单晶结构，晶面定向为（100）。SEM结果表明，薄膜表面光滑均匀，并且薄膜厚度约为100nm。
3.SrTiO3量子顺电体改性
我们采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法将金属铝（Al）和石墨烯（Gr）沉积到SrTiO3量子顺电体表面，改变其电学性质。PECVD过程可通过气相控制的方法实现Al和Gr的精确沉积，从而在SrTiO3量子顺电体表面形成Al和Gr掺杂层。
4.SrTiO3量子顺电体改性的电学性质表征
我们使用霍尔效应测试装置对SrTiO3量子顺电体薄膜进行电学性质的表征。实验结果表明，经过Al和Gr掺杂后，SrTiO3量子顺电体的导电性得到了显著改善，表现出优异的门极电流的开关特性和高载流子迁移率。
5.结论
我们成功制备了SrTiO3量子顺电体薄膜，并使用PECVD方法进行了改性。通过对改性后的薄膜进行电学性质测试，我们发现，输运性能得到了显著提高。这表明，改性后的SrTiO3量子顺电体具有广泛的应用潜力，可以在电子学和光电子学领域中得到广泛应用。