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聚吡咯修饰CdSeNi薄膜电极的制备及其性能研究的中期报告
本实验项目旨在研究聚吡咯修饰CdSeNi薄膜电极的制备及其性能。本次中期报告将介绍已经完成的工作以及未来的研究计划。
一、已完成的工作
1.合成了CdSeNi薄膜电极
制备CdSeNi薄膜电极的步骤是先通过化学还原法在锡玻璃上制备CdSe薄膜，然后再利用电沉积法生成Ni薄膜。
2.合成了聚吡咯
我们在实验室中用化学合成法制备了聚吡咯。合成聚吡咯的步骤主要是通过单体催化剂引发聚合反应，生成聚合物物质。
3.薄膜表面处理
为提高薄膜电极的表面性能，我们对其进行了表面处理，包括用乙醇处理和用不同浓度KOH处理。
二、未来的计划
1.聚吡咯修饰薄膜电极的制备
下一步的工作是利用聚吡咯修饰薄膜电极的方法来提高薄膜电极的电化学性能。我们将实验室制备的聚吡咯分别通过浸渍和电聚合方法修饰在CdSeNi薄膜电极上。
2.聚吡咯修饰薄膜电极的性能研究
我们将研究聚吡咯修饰薄膜电极的电化学性能，包括其在不同电解质液中的催化性能、电化学稳定性和电子传输性能等。同时，我们还将考虑利用聚吡咯修饰的薄膜电极作为柔性太阳能电池和传感器的应用。
总之，本实验项目旨在制备和研究具有优异性能的聚吡咯修饰CdSeNi薄膜电极，以期在光电领域有所突破。