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上转换发光纳米晶的可控制备、表面修饰以及细胞成像研究的中期报告
本研究主要针对发光纳米晶的可控制备、表面修饰以及细胞成像进行了一些中期研究。
1.发光纳米晶的可控制备
在本期研究中，我们探究了一种可控制备发光纳米晶的方法。首先，我们利用化学合成方法合成了一种近红外区域发光的CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶，然后通过控制反应条件，可以实现直径在5-15nm之间的纳米晶的可控制备。其中，我们发现反应温度和反应时间对纳米晶尺寸和形状的影响比较大。通过透射电镜和紫外-可见光谱等手段，我们证实了可控制备的发光纳米晶结构和性质的良好一致性。
2.发光纳米晶的表面修饰
为了提高发光纳米晶与细胞的亲和性和稳定性，我们在纳米晶表面修饰了聚乙烯吡咯烷酮（PVP）和脂质体。通过表面修饰，我们实现了对纳米晶的稳定性、荧光强度和荧光波长的调控。通过荧光光谱和细胞实验，我们发现经过表面修饰的纳米晶可以有效地进入细胞并进行细胞成像，能够提供更高的信噪比和更好的对比度。
3.发光纳米晶在细胞成像中的应用
我们利用上述可控制备和表面修饰的近红外区域发光的CuInS2/ZnS核壳结构纳米晶在细胞成像中进行了应用。我们验证了这些纳米晶的细胞毒性和生物相容性，同时进行了定量分析和图像处理，对比了不同样品在细胞成像中的性质和表现。结果表明，所制备的纳米晶在细胞成像中具有较高的分辨率和对比度，可以成功地进行细胞成像和细胞追踪，因此具有广泛的应用前景。
综上所述，我们在本期研究中探究了发光纳米晶的可控制备、表面修饰以及细胞成像方面的研究，为进一步提高纳米晶在生物医学成像和治疗方面的应用提供了新的思路和方法。