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MEMS器件深槽侧壁形貌测试方法研究的中期报告
中期报告：MEMS器件深槽侧壁形貌测试方法研究
一、研究背景
MEMS（微机电系统）器件是一种尺寸小、功能强大的微型化智能装置，其应用领域越来越广泛，包括传感器、生物医学、通信、能源等。其中，深槽结构在MEMS器件中被广泛应用，如深槽微加速度计、深槽微陀螺仪等。
深槽的侧壁形貌对于MEMS器件的性能和稳定性有重要影响。目前，常用的测试方法有扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等。然而，由于深槽的结构特殊，这些方法存在一定的局限性，如SEM分辨率不足以精确测量深槽侧壁形貌，AFM受到扫描范围和等高线重叠的限制，不能全面反映深槽侧壁的变化。
因此，本研究旨在探索一种新的深槽侧壁形貌测试方法，以更加准确地表征深槽的形貌变化。
二、研究内容
本研究采用激光干涉仪（LSI）测试深槽的侧壁形貌。LSI测量量的是一系列点的高度差异，因此与扫描面的绝对高度无关，而与悬浮在空气中的（或其他溶液中的）表面的漂移无关。这意味着LSI的测量结果仅受到待测试深槽的形态影响，而不受表面漂移或偏移的影响。此外，LSI还可以测试较大面积的样品，提供更全面的侧壁形貌信息。
本研究采用用LSI测试了2种不同尺寸的深槽样品，同时比较了LSI和SEM的结果，以验证LSI的可靠性和准确性。
三、实验方法
1.样品制备
采用标准微制造技术制备2种不同尺寸的深槽样品，分别为100μm和200μm的宽度，10μm的深度。
2.实验测量
采用LSI和SEM测量2种深槽样品的侧壁形貌，并比较结果。
四、初步结果
实验结果表明，LSI的测量结果能够与SEM的结果一致。与SEM相比，LSI提供了更全面的侧壁形貌信息，包括侧壁角度的变化和芯片表面的弯曲情况。
五、下一步工作
1.优化LSI测量参数，提高测量精度和分辨率。
2.对更多尺寸和形状的深槽样品进行测试，验证LSI的适用性和可靠性。
3.结合LSI和其他测试方法，全面表征深槽的形态变化，为MEMS器件的设计和性能优化提供更准确的参考。