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130nmSOI数字单元电路设计及抗单粒子翻转技术研究的开题报告
一、选题意义及背景
随着集成电路技术的日益发展，现代电子产品应用广泛，对于微电子器件的要求也越来越高。特别是在不同的尺寸和构造级别下设计必须考虑到低功耗、高集成度、高可靠性等多方面因素。基于这些考虑因素，现代的数字单元电路设计必须考虑多种因素，包括抗单粒子翻转技术等，以保证电路的性能和可靠性。
此次研究的选题意义在于，探讨抗单粒子翻转技术在数字单元电路设计中的应用，将SOI工艺与抗单粒子翻转技术进行联合设计，以实现对数字单元电路中单粒子翻转的诊断和抑制。这将为现代数字单元电路设计提供新的技术支持，同时提高电路的可靠性和稳定性。
二、研究内容
本次研究将围绕130nmSOI数字单元电路设计及抗单粒子翻转技术展开，主要有以下内容：
1.130nmSOI数字单元电路设计。针对现代数字单元电路需要实现低功耗、高速度、高可靠性等多种要求，本次研究将运用130nmSOI工艺进行数字单元电路设计。
2.抗单粒子翻转技术研究。单粒子翻转是数字单元电路中的一个重要问题，对电路的性能和可靠性产生较大的影响。通过对抗单粒子翻转技术的研究，可以有效诊断并抑制单粒子翻转，提高数字单元电路的可靠性。
3.SOI工艺与抗单粒子翻转技术的结合应用。SOI工艺对于数字单元电路的性能有着重要的影响，而抗单粒子翻转技术则可以进一步保障电路的可靠性和稳定性。本次研究将SOI工艺与抗单粒子翻转技术进行联合应用，以实现数字单元电路的稳定性和可靠性。
三、研究方法
本次研究将采用以下方法：
1.理论探究。对SOI工艺和抗单粒子翻转技术进行深入学习和理论探究，分析其在数字单元电路设计中的应用，以及它们的优缺点。
2.仿真模拟。通过使用EDA软件对数字单元电路进行仿真模拟，验证SOI工艺和抗单粒子翻转技术在数字单元电路设计中的有效性和可行性，优化电路性能。
3.实验分析。通过实验数据分析，检验仿真模拟结果的准确性和可靠性，对SOI工艺和抗单粒子翻转技术的应用进行进一步探究。
四、研究预期结果
通过以上方法，可以预期本次研究将有以下成果：
1.提出一种基于130nmSOI工艺和抗单粒子翻转技术相结合的数字单元电路设计方案，优化电路性能和提高可靠性。
2.通过仿真模拟和实验验证，证明所提出的设计方案在数字单元电路设计中具有一定的效果和应用价值。
3.提出一些电路优化的方法和技术，为数字单元电路设计提供新的技术支持。
五、参考文献
1.王学富等.毫微米处理技术.北京:中国科学技术出版社,2010.
2.高淑珍等.半导体物理学.北京:高等教育出版社,2009.
3.K.Livernois等.CMOScircuitsensitivitytosingleeventtransientupset.IEEETransactionsonNuclearScience,2000,47(6):2779-2783.
4.L.Darmoni等.AsystematicApproachtounderstandtheSETIssueinSOICircuits.IEEETransactionsonNuclearScience,2002,49(6):2972-2979.
5.K.Sano等.Experimentalevaluationofmultiple-bitupsetprobabilityina130nmSOISRAM.IEEETransactionsonNuclearScience,2010,57(6):3320-3327.