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应一些网友的要求,drew在这里提供以前在学校写的非均匀有理B样条(NURBS)曲线曲面造型的主要算法函数源码,供感兴趣的朋友参考。由于这是多年前在学校所做的程序,为方便编程,坐标数据主要采用三维数组形式。当时使用计算机内存很小(好像是4M内存),所以所取控制点数有一定的限制(15个),其它未列的函数是一些数据结构,内存分配和空间转换的函数,和算法无关,可以不必考虑。由于这些源码函数是从drew的论文程序中摘录出来的,所以需要做一些修改才能使用,朋友们可以参考和修改这些算法函数,加入自己的程序。关于NUR
FT中文资料.docx
FT2232中文资料1FT2232C概述1.1电路概览FT2232C是一款USB到UART/FIFO的转换电路,是FTDI公司继第二代FT232BM、FT245BM之后的第三代产品,集成了两片BM芯片的功能。电路要用48-LDLQFP封装。FT2232C具有两个多用途的UART/FIFO控制器,可分别配置成不同的工作模式。一个USB下游端口转换成两个I/O通道,每个I/O通道相当一个FT232BM或FT245BM,可以单独配置成UART接口或者FIFO接口。通过对外挂EEPROM的配置,FT2232C还提
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3.架构总览3.1介绍图表3-1显示了USB4部分主要关注区域。它们分别是应用软件/USB驱动,主机控制器驱动(HCD),主机控制器(HC),和USB设备。应用软件/USB驱动和主机控制器驱动(HCD)由软件方式实现。主机控制器和USB设备由硬件实现。OpenHCI指定了HCD和HC之间的接口和各自的基本操作。HCD和HC前后合作地工作,实现在应用端软件和USB设备之间传输数据。数据从应用软件端的共享内存区传输到USB设备端,以及反向传输。3.2数据传输类型USB文件定义了四种传输类型。每种类型都被优化设
ULN中文资料.docx
ULN2802ULN2803ULN2804A8个NPN达林顿晶体管,连接在阵列非常适合逻辑接口电平数字电路(例如TTL,CMOS或PMOS上/NMOS)和较高的电流/电压,如电灯,电磁阀,继电器,打印锤或其他类似的负载,广泛的使用范围:计算机,工业和消费应用。所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。该ULN2803是专为符合标准TTL,而制造ULN2804适合6至15V的高级别CMOS或PMOS上。该电路为反向输出型,即输入低电平电压,输出端才能导通工作。图一引脚图1-8引脚:输入端11-18引脚:
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DW01锂电池保护IC一、主要特性静态电流待机电流(检测到过放之后)过充检测精度(Topt=25℃)过充检测精度(Topt=0到50℃)过放检测精度过放检测电压过流保护过充延迟(VDD=4.4V)过放延迟(VDD=2.2V带有内置电容)封装典型值:4.0uA典型值:0.2uA±50mV±60mV±100mV2.0V到3.0V,每步0.005V0.04V到0.32V,每步0.04V110mS22mS(最小值)SOT23-6/6-pin二、基本描述DW01是一款单节可充电锂电池保护集成电路,具有过充、过放、过