基于肖特基二极管的太赫兹频段单片集成变频电路设计的开题报告.docx
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基于肖特基二极管的太赫兹频段单片集成变频电路设计的开题报告.docx
基于肖特基二极管的太赫兹频段单片集成变频电路设计的开题报告一、选题背景及研究意义随着太赫兹科技的迅速发展,太赫兹频段在通信、雷达成像、生物医学等领域的应用越来越广泛。而实现太赫兹频段的高效率、低成本和大规模集成是解决太赫兹频段应用中的关键问题之一。肖特基二极管是一种常用的高频器件,其具有响应速度快、噪声小、射频性能优良等特点,在太赫兹频段同样具有广泛的应用前景。然而,目前国内外对于基于肖特基二极管的太赫兹频段单片集成变频电路的研究还很少,并且对于其在实际应用中的表现和性能参数也缺乏深入的研究。因此,结合肖
基于肖特基二极管的太赫兹功率探头研究.docx
基于肖特基二极管的太赫兹功率探头研究引言:太赫兹频段指的是0.1-10THz的微波和红外之间的中间频段。太赫兹频段因具有穿透力强、成像分辨率高、对生物组织穿透性强等特点,在生物医学、材料、安检、通讯等广泛领域中应用。其中,在太赫兹微波成像领域中,太赫兹探头是非常重要的一部分。太赫兹探头对太赫兹微波信号进行检测与测量,对太赫兹成像的图像质量和成像分辨率有重要的影响。在众多的太赫兹探头中,基于肖特基二极管的太赫兹功率探头在太赫兹成像领域中具有重要的应用价值。本文将从以下几个方面介绍基于肖特基二极管的太赫兹功率
用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管.pdf
本发明公开了用于太赫兹低频段GaAs基大功率肖特基倍频二极管包括:40个肖特基阳极结,倍频二极管采用4行结构,每行结构为10个肖特基结,每行结构采用射频同向并联,直流反向串联;其中,所述倍频二极管采用半绝缘GaAs层衬底,所述半绝缘GaAs层上设有重掺杂GaAs层和钝化层,所述重掺杂GaAs层上设有低掺杂GaAs层和欧姆接触金属层,所述低掺杂GaAs层上有肖特基接触金属层和二氧化硅层,所述欧姆接触金属层上设有金属加厚层,所述金属加厚层与所述肖特基接触金属层通过空气桥相连,实现了倍频二极管可承受较大的功率输
基于肖特基二极管的太赫兹接收机关键技术研究.docx
基于肖特基二极管的太赫兹接收机关键技术研究基于肖特基二极管的太赫兹接收机关键技术研究摘要:太赫兹波在无线通信、成像和光谱学等领域具有广阔的应用前景。作为太赫兹接收机中的核心元件,肖特基二极管广泛应用于太赫兹接收机的设计中。本文主要研究基于肖特基二极管的太赫兹接收机关键技术,包括材料选择、结构设计和性能优化等方面的内容。一、引言太赫兹波作为一种位于红外和微波之间的频段,具有穿透力强、无电离辐射和较高的空间分辨率等特点,因此在医学成像、安全检测和通信等领域具有广泛的应用潜力。然而,太赫兹波的接收技术一直是制约
GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究.docx
GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究GaN太赫兹肖特基变容二极管是一种新型器件,其在太赫兹频段的应用被广泛关注。近年来,人们对于该器件的研究不断深入,尤其是在倍频效率方面的研究成果备受瞩目。本文将从GaN太赫兹肖特基变容二极管的原理出发,阐述倍频效率的影响因素,重点分析当前研究中的关键技术和问题,并提出未来的研究方向。一、GaN太赫兹肖特基变容二极管的原理GaN太赫兹肖特基变容二极管是一种基于GaN材料的半导体器件,其核心部件是肖特基二极管。在该器件中,GaN材料的高载流子迁移率和高饱和漂移速度使其