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Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜制备及光催化性能的任务书 任务书 1.研究背景 纳米材料具有优良的物理化学性质,广泛应用于光催化、光电子、能源等领域。TiO2作为一种重要的半导体材料,具有良好的光催化性能。然而,TiO2的光催化活性主要局限在UV光区域,而对可见光响应较弱。因此,为了提高TiO2的光催化性能,研究者们采用了多种方法,其中掺杂Ni元素是一种有效的方法。掺杂Ni元素可以扩展TiO2的光响应范围,使其能够吸收可见光,从而提高其光催化活性。 在纳米材料的制备过程中,阵列结构的纳米材料比单体材料具有更强的光响应性能。因此,通过纳米带阵列的制备方法,可以制备Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜,提高其光催化性能。因此,本研究将着重探讨Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的制备及其光催化性能。 2.研究内容 (1)制备Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜 本研究将采用溶胶凝胶法制备Ni掺杂的TiO2纳米带阵列薄膜。首先,在无水乙醇中制备TiO2溶胶,并加入Ni2+离子。随后,采用模板法制备纳米带阵列。将溶胶倒入沉积在清洗后的锡膜上的模板孔中,在常温下干燥24小时。然后将样品放入高温炉中,在氧气氛围下煅烧1小时,最终得到Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜。 (2)测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光学性质 利用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光学性质。考察Ni掺杂对TiO2纳米带阵列薄膜的吸收特性影响,以及带隙变化情况。通过测试,得到其吸收谱,并计算出带隙。 (3)测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光催化性能 将Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜置于4-丙烯基吡啶(4-AP)溶液中进行光催化实验。使用紫外-可见分光光度计记录脱色度随时间的变化。分别研究不同Ni掺杂浓度对TiO2纳米带阵列薄膜的光催化性能的影响。同时,通过对光催化实验结果的分析,评估Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光催化性能。 3.研究意义 本研究将有利于探索Ni掺杂对TiO2纳米带阵列薄膜光催化性能的影响。研究结果可有助于解决TiO2在UV光区域下光催化活性受限的问题,提高TiO2在可见光区域下的催化性能。此外,研究结果还可为纳米材料的制备及光催化应用提供新的思路和方法。 4.研究计划 (1)第一周:学习TiO2光催化性能及其掺杂机理,查阅相关文献。 (2)第二周:制备TiO2溶胶,并加入Ni2+离子。 (3)第三周:制备纳米带阵列,并进行热处理,得到Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜。 (4)第四周:利用紫外-可见吸收光谱测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光学性质,并计算带隙。 (5)第五周:将Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜置于4-AP溶液中进行光催化实验,得到脱色度随时间的变化。 (6)第六周:分析光催化实验结果,并评估Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光催化性能。 (7)第七周:整理研究结果,起草论文。 5.预期成果 (1)成功制备Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜。 (2)测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光学性质,并计算带隙。 (3)测试Ni掺杂TiO2纳米带阵列薄膜的光催化性能,评估其光催化性能。 (4)研究结果发表在国内外权威学术期刊。