硅基WDM光互连芯片及光电单片集成技术研究的开题报告.docx
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单片集成高速并行光发射芯片的研制的开题报告.docx
单片集成高速并行光发射芯片的研制的开题报告摘要随着数字通信技术的不断发展,高速光通信技术已经成为现代通信领域中的重要技术之一。本项目旨在研制一种单片集成高速并行光发射芯片,该芯片将具有较高的能效、较高的可靠性和较低的成本,能够广泛应用于光通信、数据中心、高性能计算等领域。本文主要介绍了本项目的背景、研究目的和意义、研究内容和方法、预期成果及其应用。关键词:高速光通信、单片集成、光发射芯片、能效、可靠性、成本一、背景随着现代通信技术的不断进步,高速光通信技术已经成为重要的通信方式之一。光通信技术具有高速率、
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Si基微纳光子集成回路和芯片光互连技术信息时代的微电子技术按照“摩尔定律”(Moore'sLaw)飞速发展,以45纳米为特征线宽的深亚微米集成电路工艺已经进入了工业化阶段,而30纳米工艺已在实验室中成功实现。据预测,2013年(或最迟2018年)时随着16纳米工艺的来临,微电子产业能否再依照“摩尔定律”前进则面临着不可逾越的物理极限。此时,半导体最小单元—晶体管的“栅极”(Gate)的尺寸将达到5纳米,电子通过量子隧穿效应(tunnelingeffects),将会自行穿越信道。此外,随着IC集成度的进一步
一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法.pdf
本发明公开了一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法,包括步骤:S1:利用导电银胶将硅光芯片上固化的微型焊料凸点与扇出结构基板的引脚对准粘接;S2:对导电银胶进行高温固化加热,以实现硅光芯片与扇出结构基板的电学连接与固定,实现电学封装。第一个实施例中,本发明通过采用导电银胶来实现电连接,然后通过高温使导电银胶固化,完成硅光芯片和扇出结构基板的电连接,同时因为需要进行升温再降温,所以可以在加速导电银胶固化的同时实现硅光芯片和扇出结构基板的退火,释放内部应力,避免因热失衡导致焊料凸块或者焊球出现裂缝。